模拟电子技术基础知识点总结.doc

模拟电子技术基础知识点总结,模拟电子技术第5版答案,模电第五版童诗白答案,模拟电子技术基础第5版,电子元件基础知识,虚拟技术公司,银行基础知识考试题,杨福家原子物理学,模拟电路第五版童诗白,模电第五版课后答案pdf第一章半导体二极管

---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
---光敏、热敏和掺杂特性。
----纯净的具有单晶体结构的半导体。
----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---~,~。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------~,~。
*死区电压------,。
------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若 V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);
若 V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。
1)图解分析法
该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若 V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);
若 V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。
*三种模型
微变等效电路法

稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章§2-1 三极管及其基本放大电路
一. 三极管的结构、类型及特点
---分为NPN和PNP两种。
---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触
面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理
1. 三极管的三种基本组态
2. 三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件

式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线
*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线
(饱和管压降,用UCES表示
放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
4. 温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。
三. 低频小信号等效模型(简化)
hie---输出端交流短路时的输入电阻,
常用rbe表示;
hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用β表示;
四. 基本放大电路组成及其原则
1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。
----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法
1. 直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
*直流负载线---=ICRC+UCE 确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1)改变Rb :Q点将沿直流负载线上下移动。
2)改变Rc :Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3):直流负载线平移,Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- ’点’= UCEQ+ICQR L’的
直线。
3. 静态工作点与非线性失真
(1)截止失真
*产生原因---Q点设置过低
*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。
*消除方法---减小Rb,提高Q。
(2) 饱和失真
*产生原因---Q点设置过高
*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。
*消除方法---增大Rb、减小Rc、。
4. 放大器的动态范围
(1) Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围
*当(UCEQ-UCES)>(VCC’- UCEQ )时,受截止失真限制,UOPP=2UOMA