共晶焊粘贴方法.doc

专利申请日

名称
半导体芯片背面共晶焊粘贴方法
公开(公告)号
CN1571131
公开(公告)日

类别
电学
颁证日

优先权
 
申请(专利权)
吉林华微电子股份有限公司;深圳市鹏微科技有限公司
地址
132013吉林省吉林市深圳街99号华微电子人力资源部
发明(设计)人
杨晓智;刘利峰;雷正龙;屈世江;姚志勇
国际申请
 
国际公布
 
进入国家日期

专利代理机构

代理人

摘要
半导体芯片背面共晶焊粘贴方法属于半导体器件制造工艺技术领域。在现有技术中,蒸镀在芯片硅衬底背面的金属层要么为金系结构,要么为银系结构,材料成本较高;该金属层常常采用四层结构,在有些方案中,其中的某层或者某几层还采用混合层或者合金层,这些都在一定程度上增加了制造成本。本发明将该金属层确定为三层结构,均为单质层,自里向外依次为Cr、Ni、Sn,从而克服了现有技术的缺点。本发明可应用于半导体器件制造领域。
主权项
1、一种半导体芯片背面共晶焊粘贴方法,在芯片硅衬底(1)背面蒸镀金属层(2),在一定温度下,使金属层(2)与框架(3)表面受压接触,在接触面发生键合形成共晶,实现共晶焊粘贴,其特征在于,在半导体芯片硅衬底(1)背面自里向外依次蒸镀Cr、Ni、 Sn,形成具有三层结构的金属层(2),其中Cr层厚度为300~1000,Ni层厚度为 3000~5000,~,该Sn层与框架(3)表面的镀层形成共晶。
用共晶焊接技术,先将晶粒焊接于一散热基板(soubmount)或热沉(heat sink)上,然后把整件晶粒连散热基板再焊接于封装器件上,这样就可增强器件散热能力,令发光功率相对地增加。至于基板材料方面,硅(Silicon)、铜(Copper)及陶瓷(Ceramic)等都是一般常用的散热基板物料。
共晶焊接技术最关键是