下载此文档

软恢复二极管新进展.doc


文档分类:行业资料 | 页数:约7页 举报非法文档有奖
1/7
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/7 下载此文档
文档列表 文档介绍
软恢复二极管新进展,怏恢复二极管的软特性,二极管反向恢复软特性,发光二极管,软恢复二极管符号,快速软恢复 二极管,软恢复二极管,软恢复功率二极管,3300v快软恢复二极管,高压快恢复二极管摘要:本文介绍了一种采用扩散型双基区结构的快速软恢复二极管。二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N- 与扩散形成的较重掺杂的N区(缓冲基区)两部分组成。实验结果表明,,较传统的PIN二极管有了较大改善。
    关键词:二极管快速软恢复
   
    New Development of Soft Recovery Diode:
    Diode with Double Base Regions by the Diffusion
    Zhang Haitao, Zhang Bin
    (Power Electronics Factory of Tsinghua University)
    ( P. O. Box. 1021, Beijing, China, Post Code: 102201)
   
    Abstract: This paper introduces a fast and soft recovery diode with double base regions by diffusion. The base design of the diode consists of two regions: conventional lightly doped substrate N- and a more heavily doped region N (buffering region) by the diffusion. The results of test indicate that the reverse recovery softness of the diodes is increased to about , and is more improved than the conventional PIN diode.
    Key words: diode, fast, soft recovery
   
    1 引言
    广泛应用于功率电路中的PIN二极管具有较高的反向耐压,而且在通过正向大电流密度的情况下,由于基区电导调制效应,正向压降较小。为了提高耐压,传统PIN二极管采用深扩散缓变结构,造成关断前存在着大量存贮电荷使得反向恢复时间延长;为了减小压降,这种高压二极管通常又需要设计成基区穿通结构,以减薄基区,从而使得反向恢复特性更硬,越来越不适应电力电子技术的发展。为了缩短二极管的反向恢复时间,提高反向恢复软度,同时使得二极管具有较高的耐压,在传统PIN二极管的基础上,增加一个N型缓冲基区是一个较好的解决办法。即二极管的基区由基片的轻掺杂N —衬底区及较重掺杂的N区组成。
    国外设计的二极管当中,也有采用双基区结构的,但其N缓冲基区的形成均是采用外延工艺实现[1]。由于我室没有外延设备,国内虽有外延设备,但高阻厚膜外延的目前水平尚难满足大功率二极管的要求,因此我们决定尝试利用传统扩散工艺制作N缓冲基区结构,以期达到提高二极管反向恢复软度的目的。
    2 快恢复二极管的反向恢复分析
    反向恢复过程分析
    反向恢复过程短的二极管称为快恢复二极管(Fast Recovery Diode)。高

软恢复二极管新进展 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

非法内容举报中心
文档信息
  • 页数7
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人zbfc1172
  • 文件大小67 KB
  • 时间2018-11-13