软恢复二极管新进展,怏恢复二极管的软特性,二极管反向恢复软特性,发光二极管,软恢复二极管符号,快速软恢复 二极管,软恢复二极管,软恢复功率二极管,3300v快软恢复二极管,高压快恢复二极管摘要:本文介绍了一种采用扩散型双基区结构的快速软恢复二极管。二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N- 与扩散形成的较重掺杂的N区(缓冲基区)两部分组成。实验结果表明,,较传统的PIN二极管有了较大改善。
关键词:二极管快速软恢复
New Development of Soft Recovery Diode:
Diode with Double Base Regions by the Diffusion
Zhang Haitao, Zhang Bin
(Power Electronics Factory of Tsinghua University)
( P. O. Box. 1021, Beijing, China, Post Code: 102201)
Abstract: This paper introduces a fast and soft recovery diode with double base regions by diffusion. The base design of the diode consists of two regions: conventional lightly doped substrate N- and a more heavily doped region N (buffering region) by the diffusion. The results of test indicate that the reverse recovery softness of the diodes is increased to about , and is more improved than the conventional PIN diode.
Key words: diode, fast, soft recovery
1 引言
广泛应用于功率电路中的PIN二极管具有较高的反向耐压,而且在通过正向大电流密度的情况下,由于基区电导调制效应,正向压降较小。为了提高耐压,传统PIN二极管采用深扩散缓变结构,造成关断前存在着大量存贮电荷使得反向恢复时间延长;为了减小压降,这种高压二极管通常又需要设计成基区穿通结构,以减薄基区,从而使得反向恢复特性更硬,越来越不适应电力电子技术的发展。为了缩短二极管的反向恢复时间,提高反向恢复软度,同时使得二极管具有较高的耐压,在传统PIN二极管的基础上,增加一个N型缓冲基区是一个较好的解决办法。即二极管的基区由基片的轻掺杂N —衬底区及较重掺杂的N区组成。
国外设计的二极管当中,也有采用双基区结构的,但其N缓冲基区的形成均是采用外延工艺实现[1]。由于我室没有外延设备,国内虽有外延设备,但高阻厚膜外延的目前水平尚难满足大功率二极管的要求,因此我们决定尝试利用传统扩散工艺制作N缓冲基区结构,以期达到提高二极管反向恢复软度的目的。
2 快恢复二极管的反向恢复分析
反向恢复过程分析
反向恢复过程短的二极管称为快恢复二极管(Fast Recovery Diode)。高
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