仿真工具(ATLAS).ppt

哈尔滨工程大学微电子实验室
工艺及器件仿真工具
SILIVACO-TCAD

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ATLAS 电学特性
在这一部分,将对一个NMOSFET器件结构进行器件仿真。
以下将会演示到:
=:Ids vs. Vgs
,例如Vt,Beta和Theta
vs. Vds 曲线簇
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ATLAS 电学特性
输入:Go altas
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ATLAS 电学特性
MESH <prev>|<new> [<output>]
语法:
mesh inf=
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设置模型:
对于简单的MOS仿真,推荐使用CVT和SRH。
SRH是Shockley Read Hall复合模型,而CVT模型是来自于Lombardia的反型层模型。
CVT模型设置了通用的迁移率模型,包括了浓度、温度、平行电场和横向电场的影响。
ATLAS 电学特性
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ATLAS 电学特性
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设置模型: contact
Workfunction Parameters
Boundary Conditions
Contact Parasitics
Electrode Linking Parameters
ATLAS 电学特性
进一步详细的关于这些模型的信息,可以参看文档:
ATLAS User’s Manual Volume I
CONTACT NUMBER=<n>|NAME=<ename>|ALL [<wfp>] [<bc>] [<lcr>] [<link>]
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设置模型: interface
ATLAS 电学特性
进一步详细的关于这些模型的信息,可以参看文档:
ATLAS User’s Manual Volume I
INTERFACE [<params>]
Boundary Condition Parameters
Position Parameters
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数值计算方法命令集:
对于半导体器件问题,有几种不同的方法可以使用。对于MOS结构来说,可以使用非耦合的GUMMEL法和耦合的NEWTON法。简单地说,gummel法将对每个未知量轮流求解,同时保持其他变量不变,不断重复这个过程,直到得到稳定的解。而Newton法将会对整个系统的所有未知量一起求解。

输入: method newton
ATLAS 电学特性
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求解命令集:
ATLAS 电学特性
在这个命令接中,将包括:
1.“Log”命令,用来存储log文件,这个文件包括了ATLAS所计算的所用的终端特性。
2.“Solve”命令,不同偏置条件下的求解。
3.“Load”命令,载入求解的文件。
Ids vs. Vgs
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