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模电总结复习资料 模拟电子技术基础.doc


文档分类:高等教育 | 页数:约9页 举报非法文档有奖
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模电总结复习资料_模拟电子技术基础.doc:..。)*单向导电性 正向_,反向_。(二极管的正向电阻.*二极管伏安特性----^p/mA正向特性^7br 0«r/V反向特性*正向导通压降 硅管 V,锗管 V。*死区电压 硅管 V,锗管 V。 将二极管断幵,分析二极管两端电位的髙低:若VRI>VPJ(正偏),二极管导通(短路);若VRI<VPj(反偏),二极管截止(开路)。等效电路法>直流等效电路法*总的解题手段~~将二极管断开,分析二极管两端电位的商低:若V阳***(正偏),二极管导通(短路);若V阳<v(反偏),二极管截止(开路)。*三种模型(a)理想模型(b)恒压源模型(c)折线模型二、稳压二极管及其稳压电路所以稳压二极管在电路中要 连接。*稳压二极管的特性一正常工作时处在PN结的0i/mA/,-hf hrmw/VAmix稳JT(、、,且掺杂浓度_;发射区掺杂浓度_,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积 。,J|Xtyqp KVTvre 」ec 」1- </ O00丼发射极组态 •:*共发射极电流放大系数: Ob b(cUt•基极组态*输入特性曲线一同二极管。丄…reVT:s祛本放大电路的4惯|叫法0 «be/V(a)测试电路(b)输入特性曲线*输出特性曲线饱和管压降,用表示放大区一发射结_,集电结_。截止区一发射结_,集电结_。饱和区---发射结_,集电结_。,输入特性曲线向左移动。温度升商Tiro、■以及P均增加。(画出简化模型)hie 输出端交流短路时的输入电阻,常用A表示;力,。---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用P表示;、心、允、亿、C'、G的作用。、不失真、能传输。*概念一直流电流通的回路。*画法一-电容视为开路。M乍用确定静态工作点<直流负载线由Vc^IcRc^确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1) 改变尼:0点将沿直流负载线上下移动。2) 改变允.:0点在爪所在的那条输出特性曲线上移动。3) 改变心:直流负载线平移,0点发生移动。*概念一-交流电流流通的回路*«法一-电容视力短路,理想直流电压源视为短路。*作用一分析信号被放大的过程。*’’= ’的直线。(1) 截止失真*产生原因 *失真现象---*消除方法一(2) 饱和失真*产生原因-一*失真现象一*(1) 队PP—是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2) 范围*当(‘一&、•)〉UV—知)时,受截止失真限制,U麵=2W。*当QUd、<(H—队v)时,受饱和失真限制,U附=2U隱二2(‘一D。*-^1(UcEQ—VcEs)=(VcC^—UcEQ)»放大器将有最大的不失真输出电压。(1)直流通路(

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  • 上传人小博士
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  • 时间2019-01-13
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