输出管MOSFET的漏极.ppt

**第七章智能功率集成电路的设计**/84主要内容SPIC设计考虑PWM开关电源SPIC设计实例荧光灯驱动SPIC设计实例**/84SPIC设计考虑工艺流程选择功率器件关键参数确定关键工艺参数设计**/84智能功率集成电路SPIC一般包括:功率控制检测/保护接口电路目标尽可能少的工艺步骤,实现最佳功率器件性能**/84工艺流程选择SPIC一般实现方案:在已有的CMOS或者BiCMOS工艺上进行改造,增加若干个工艺步骤而实现。工艺改造的好处:一方面可以减小工艺成本和实现难度,另一方面也提高工艺的稳定性。**/84SPIC基本工艺流程SPIC工艺主要可分为外延层结构工艺和无外延层结构工艺。这两种工艺技术各有特点,根据电路、器件、特性等方面不同的要求,其最恰当的兼容工艺方式也大不相同。相比而言,目前无外延层结构工艺较为普遍。**/84功率器件关键参数确定LDMOS、VDMOS和IGBT等功率器件是SPIC的核心,一般功率器件约占整个芯片面积的1/2~2/3。设计性能良好的功率器件是整个智能功率集成电路设计的关键,其中耐压和导通电阻是SPIC的重要指标。**/84功率器件的主要技术参数击穿电压:源漏击穿电压BVDS、栅源击穿电压BVGS;静态特性参数:阈值电压、IV特性、栅特性和特征导通电阻等;动态特性参数:栅电容、导通时间、关断时间和开关频率等;器件安全工作区(SOA)。**/84关键工艺参数的设计在改造工艺上调整有限的工艺参数使得功率器件性能最佳是SPIC工艺必须要考虑的问题。要确定这些最佳工艺参数,可以采用理论推导和TCAD仿真相结合的方式。**/84PWM开关电源SPIC设计实例开关电源原理及开关电源SPIC开关电源SPIC模块电路开关电源SPIC的BCD工艺流程开关电源SPIC的版图设计