[工学]三极管BJT及放大电路.ppt

第四章晶体管(BJT)及放大电路一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、(BJT)半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结(Jc)基极,用B或b表示(Base)发射极,用E或e表示(Emitter);集电极,用C或c表示(Collector)。、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低,且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔?二、晶体管的电流放大作用共射极放大电路PNP接法?扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大,、电流分配:IE=IB+ICIE-扩散运动形成的电流IB-复合运动形成的电流IC-漂移运动形成的电流穿透电流集电结反向电流共射直流电流放大系数交流电流放大系数类似:共基电流放大系数α等三、晶体管的共射输入特性和输出特性为什么UCE增大曲线右移?对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性?为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了?。为什么uCE较小时iC随uCE变化很大?为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?饱和区放大区截止区晶体管的三个工作区域晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB,即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。状态uBEiCuCE截止<放大≥UonβiB≥uBE饱和≥Uon<βiB≤uBE