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第5章放大器基础本章内容为电工电子技术课程重点教学内容读者学完本章应重点理解PN结的单向导电性,三极管的电流控制特点;掌握半导体二极管、三极管的模型;能利用三极管的直流、交流小信号模型分析简单的三极管应用电路;深入理解放大的实质及利用三极管构成小信号放大器的一般原则;掌握三极管放大电路的三种基本组态及其特性,进而理解工程实用放大器电路组成原理及特点;理解场效应管的电压控制特点,对照三极管理解场效应管的外特性、模型及其应用第5章第1部分在本次课中,我们将介绍本征、杂质半导体的导电特性;PN结的形成及其特性;二极管及其模型。相关知识点与学****目标本课涉及“PN结的引入及其特点、半导体二极管”2个知识点,通过本课学****应理解PN结的单向导电性,。晶体结构如右图半导体器件是组成各种电子电路的基础。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。原子核(正离子)价电子被所属原子核束缚由于价电子被原子核束缚,若不能从外部获取能量,摆脱原子核的束缚,(正离子)价电子被所属原子核束缚热力学零度(-℃)时,若价电子不能从外部获取能量,摆脱原子核的束缚,不具有导电特性常温下,少量的价电子可能获得足够的能量,摆脱共价键的束缚,成为自由电子;同时在原来的共价键中留下一个空位,称为“空穴”,这种现象称为本征激发(解释)。如上图本征激发使本征半导体具有微弱的导电性为什么关心空穴?(简称多子),空穴为少数载流子(简称少子)(本征半导体的两种载流子)常温下,本征半导体导电性能很微弱的,难以达到实用目的在本征半导体中掺入微量的杂质(其它元素的原子),就成为杂质半导体,其导电性能大大增强在硅或锗的晶体中掺入少量五价元素原子,这种杂质半导体中电子浓度大大高于空穴浓度,主要依靠电子导电,故称为电子半导体或N型半导体(解释)空穴是多数载流子,电子是少数载流子(本征半导体的两种载流子)在硅或锗晶体中掺入三价元素原子,这种杂质半导体中空穴浓度大大高于电子浓度,主要依靠空穴导电,故称为空穴半导体或P型半导体(解释)。,可是其导电性能不便于控制对一块半导体采用不同的掺杂工艺,使其一侧成为P型半导体,而另一侧成为N型半导体,则可成为导电性能可控制的半导体。在P型和N型半导体的交界面两侧,多数载流子由于浓度差将产生扩散运动(由于浓度引起的运动),如上图电子空穴相遇将复合而消失,在交界面两侧形成了一个由不能移动的正、负离子组成空间电荷区,也就是PN结,又称耗尽层平衡状态下的PN结如上图