自动化专业《电力电子技术》复习试题与答案.doc

一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即            ,其承受的最大正向电压为             。7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()A、P组阻断,N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流D、N组阻断,P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()A、30°~150 B、0°~120°C、15°~125°D、0°~150°密封线6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是()A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种()变换电路。A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件,它是()A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO三、简答题(共3小题,22分)1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。(7分)2、电压型逆变电路的主要特点是什么?(8分)3、简述实现有源逆变的基本条件,并指出至少两种引起有源逆变失败的原因。(7分)四、作图题(共2小题,每题12分,共24分)1、三相全控桥,阻感负载,主回路整流变压器的接法是D,y5,采用NPN管的锯齿波触发器,要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后(滞后角为30°)接到触发电路。同步变压器的的接法为Y/Y-10,4接法,如下图所示,选择晶闸管的同步电压。(要给出分析过程,分析依据)晶 闸 管VT1VT2VT3VT4VT5VT6主电路电压+Uu-Uw+Uv-Uu+Uw-Uv同步电压       2、电路与波形如图所示。(1)若在t1时刻合上K,在t2时刻断开K,画出负载电阻R上的电压波形;(