模拟电子技术第一章.pptx

。一、半导体半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。二、本征半导体的晶体结构晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。、本征半导体中的两种载流子在共价键中留下一个空位置,称为空穴。运载电荷的粒子称为载流子。本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电,这是半导体的特殊性质。自由电子和空穴数目相等,、本征半导体中的载流子的浓度半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合。在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,在一定温度下,本征半导体中载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等。,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,便可得到杂质半导体。一、N型半导体在纯净的硅晶体中惨入五价元素,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。自由电子的浓度大于空穴的浓度,故称自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。由于杂质原子可以提供电子,故称之为施主原子。、P型半导体在纯净的硅体中掺入三价元素,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。因杂质原子中的空位吸收电子,故称之为受主原子。。,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在他们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。一、PN结的形成物质总是从浓度高的地方向浓度底的地方运动,这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。P区出现负离子,N区出现正离子,他们是不能移动的,称为空间电荷区。在电场力作用下,载流子的运动称为漂移运动。负离子区与正离子区的宽度也相等,称为对称结。、(见右上图);(见右下图);右()。,即使所有的少子都参与漂移运动,反向电流非常小,所以在近似分析中常将它忽略不计,认为PN结外加反向电压时处于截止状态。三、,在P区与N区的界面,杂质的浓度产生突变,故称这种PN结为突变结。:耗尽层内载流子的产生与复合均可忽略不计。2:注入的少子数目远小于平衡多子数目,即扩散到N区空穴数目远小于N区平衡时自由电子的数目;同样,扩散到P区自由电子数目远小于P区平衡时空穴的数目。3:忽略扩散层表面的影响。