第3章2010修改.pptx

在现代计算机中,:存储器各个概念之间的关系单元地址00…0000…01........XX…XX存储单元存储元存储体1. 存储容量(MemoryCapacity)存储容量指存储器可以存储的二进制信息量。存储容量=字数×字长如:一个存储器能存储1024个字,字长8位,则存储器容量可用1024×8表示微机中的存储器一般都是以字节(8位)进行编址,即总是认为一个字节是“基本”的字长。常用B表示存储单元数一般用K、M、G、T表示1K=10241M=1024K=1024*10241G=1024M1T=(essTime)定义为访问一次存储器(对指定单元写入或读出)所需要的时间,一般用ns表示,如55ns/65ns/120ns等。、、(0°~+70°C)、工业级(-40°C~+85°C)、军用级(-55°C~+125°C)::用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间和存储单元的物理位置有关。(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读出而不能写入的半导体存储器。随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的半导体存储器。:断电后信息即消失的存储器。永久记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。,可分为:主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。半导体存储器只读存储器ROM随机读写存储器RAM掩膜ROM可编程ROM(PROM)可擦除ROM(EPROM)电擦除ROM(E2PROM)静态RAM(SRAM)动态RAM(DRAM)半导体存储器内存条:由于动态RAM集成度高,价格较便宜,在微机系统中使用的动态RAM组装在一个条状的印刷板上。系统配有动态RAM刷新控制电路,不断对所存信息进行“再生”。:随机存储器,是“内存”的重要组成部分,CPU执行指令可对其进行“读”、“写”操作。静态RAM:集成度低,信息稳定,读写速度快。动态RAM:集成度高,容量大,缺点是信息存储不稳定,只能保持几个毫秒,为此要不断进行“信息再生”,即进行“刷新”操作。:只读存储器,所存信息只能读出,不能写入。缺点不能重写只能一次性改写只读存储器掩模式(ROM)一次编程(PROM)多次编程(EPROM)(EEPROM)定义数据在芯片制造过程中就确定用户可自行改变产品中某些存储元可以用紫外光照射或电擦除原来的数据,然后再重新写入新的数据优点可靠性和集成度高,价格便宜可以根据用户需要编程可以多次改写ROM中的内容快闪存储器Flashmemory