红外吸收法测定硅单晶中氧和碳.pptx

氧的特征峰:(1)波长为λ1=(-),此吸收波峰主要为分子对称伸缩振动产生的,吸收峰强度很小。(2)波长为λ2=9μm(-),此吸收波峰主要为分子弯曲振动产生的,吸收峰强度最大。(3)波长为λ3=(-),此吸收波峰主要为分子反对称伸缩振动产生的,吸收峰强度很小。碳的特征峰:(1)波长为λ1=(-),此吸收波峰为基本峰,吸收峰强度较大。(2)波长为λ2=(波数为1217cm-),此吸收波峰主要为倍频峰,吸收峰很小。2、半导体与光学常数之间的关系半导体对不同波长的光或电磁辐射有不同的吸收性能,常用吸收系数α来描述这种吸收特性。α的大小与光的波长λ有关,因而可以构成一个α~λ的连续普带,即吸收光谱。如图所示,样品受到一束强度为,分为三部分:、和,因此有d将上式除,可得R、K、T分别为反射率、吸收率和透射率。在半导体中传播时,吸收系数α的定义:相当于波的能量经过1/α距离时减弱为1/e倍。因此α越大,光强度减弱越多,光的吸收性能越高。在上图中的理想镜面,且两面平行的样品的情况下,考虑光在样品内部经多次反射,忽略干涉效应,透射光的强度因此有对于硅,R=30%,因此分析红外光谱,根据上式可以计算得到吸收系数α。2、和半峰宽的求法用如下公式来求吸收系数比较麻烦,一般用如下公式来求:---从吸收峰到零透射线的测量值---从氧峰所对应的波数值横坐标的垂线与基线的交点到零投射线的测量值半波峰的定义:在吸收系数与波数的关系曲线上,取1/2为办峰高,在半峰高处吸收峰的宽度波数值。如图所示A实际半波峰的做法:令A点在上红外光谱吸收峰值的纵坐标上的一点,由A点对应的透射强度大小为,过点A作基线的平行线,与波峰两侧交点之间的波数宽度为半峰宽。只要证明A点的吸收系数为1/2则说明该处得到的波数宽即为半峰宽:证明:因为及所以3、氧、碳含量的计算公式:(1)爱因斯坦模型理论计算公式:此公式在公式推导过程中把Si-O振子电荷看成是完整的电子电荷,与实际不符,目前不采用此公式计算。(2)定氧含量的ASTM(美国材料试验协会)经验公式:此方法设定将半峰宽固定为宜常数:32厘米-1,硅单晶中的氧与成正比关系(波数为1105cm-1的特征峰),采用真空熔化气体分析法,并用空气参考法和差别法测得到红外吸收光谱计算吸收系数,因此得到ASTM经验公式:1)空气参考法:室温下(300K):77K:2)差别法:室温下(300K):77K: