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缓变基区晶体管的电流放大系数.pptx

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PN+N0xjcxjeNE(x)NB(x)NCx0xjcxje本节求基区输运系数的思路进而求出基区渡越时间将E代入少子电流密度方程,求出JnE、nB(x)与QB令基区多子电流密度为零,解出基区内建电场E最后求出基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场E,使少子在基区内以漂移运动为主,所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。(x)NB(WB)NB(0)WB0x在实际的缓变基区晶体管中,的值为4~8。设基区杂质浓度分布为式中是表征基区内杂质变化程度的一个参数,当时为均匀基区;因为,,所以内建电场对渡越基区的电子起加速作用,是加速场。令基区多子电流为零,解得内建电场为小注入时,基区中总的多子浓度即为平衡多子浓度,将基区内建电场E代入电子电流密度方程,可得注入基区的少子形成的电流密度(其参考方向为从右向左)。对于均匀基区晶体管,NB为常数,这时下面求基区少子分布nB(x)。在前面的积分中将下限由0改为基区中任意位置x,得由上式可解出nB(x)为对于均匀基区,对于缓变基区晶体管,当较大时,:将Dn写为DB,上式可同时适用于PNP管和NPN管。对于均匀基区晶体管,可见,内建电场的存在使少子的基区渡越时间大为减小。

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缓变基区晶体管的电流放大系数

缓变基区晶体管电流放大系数

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3-3 缓变基区晶体管的电流放大系数

缓变基区晶体管电流放大系数下