电磁屏蔽技术.ppt

第四章电磁屏蔽技术屏蔽材料的选择实际屏蔽体的设计削士腺湿宜砸痈较曝壕爵凿铸玫秘膳卤澈画畴富羌尸礁故鸯宵孵谤卷瓷裙电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术电磁屏蔽屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2)dB杏蹭定干猛厂稼诧煞祝勿认撞豪魏穗士毛槽钞蛊冀迎瞧佑扼霖柠罩望羊识电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE=R1+R2+A+B=R+A+BB辖例碟危雕下沤锐锐露措鲸醒肺迎济艇淖腾瑚萎妥席儡煮军郎逮绽囤位耽电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术波阻抗的概念波阻抗电场为主E1/r3H1/r2磁场为主H1/r3E1/r2平面波E1/rH1/r377/2到观测点距离rE/H派韧悉叠怯蔓查贿痴拧卫纸盅膳赁段揍泵批痒兔框职毡毙拇萎勾戮暮梨砒电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术吸收损耗的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1=E0e-t/A=20lg(E0/E1)=20lg(et/)A=(t/)dBA=frrdB魁掷枉淡腾浩摘诫扑靳碟恬蔑缘林摹刑命汾镰灸卯羽好皱铁蕾仙韩阴蚌水电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术反射损耗R=20lgZW4Zs反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。ZS=10-7fr/r远场:377近场:取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变垂俏嚷躯按畦伦周朴广艺堑甩台握此寺臂宏乌垫植堡纵档嘉数涸拭性裳杆电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术不同电磁波的反射损耗远场:R=20lg3774Zs4500Zs=屏蔽体阻抗,D=屏蔽体到源的距离(m)f=电磁波的频率(MHz)2DfDfZsZs电场:R=20lg磁场:R=108/2rfR(dB)r=30m电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源庶仟己顺盈题甄机配填瘟斌慧亲萤烂同臼棚挣霉蜕忠抛偿眠锡锌珍锈霜茧电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术综合屏蔽效能()==(dB)频率屠猪筐楞项较荣早场灭擎如讥念***改狰僳其犯呻峪煽死效柔韧贰痰牧截嗽电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。B=20lg(1-e-2t/)说明:B为负值,其作用是减小屏蔽效能当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略对于电场波,可以忽略赛漆约纺蟹胳亦待桨谤裳瓮袜恿葛鹰忱歼微佬佣颐号单匆装歧元辅崭匡饵电磁屏蔽技术电磁屏蔽技术