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LED芯片介绍光电子工程技术研究开发中心2007年3月LED芯片(pellet)是一个由化合物半导体组成的PN结。当有电流通过PN结时产生发光,由不同材料制成的管芯可以发出不同的颜色。即使同一种材料,通过改变掺入杂质的种类或浓度,或者改变材料的组份,也可以得到不同的发光颜色。发光强度除了和材料有关外,还和通过PN结电流的大小以及封装形式有关。电流越大,发光强度越高,但当电流达到一定程度时出现光的饱和,这时电流再增加,光强不再增加。表<1>是不同颜色发光二极管所使用的发光材料。表<1>不同颜色的发光二极管所使用的发光材料发光颜色使用材料普通红、绿磷化镓(GaP/GaP)普通红、黄、橙磷***镓(GaAsP/GaP)高亮红镓铝***(AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs)超高亮红、黄、橙镓铟铝磷(AlGaInP)高亮绿镓铟铝磷(AlGaInP)超高亮绿氮化镓(GaN)蓝氮化镓(GaN)紫氮化镓(GaN)白氮化镓+荧光粉红外***化镓(GaAlAs、GaAs)1、GaP/GaP芯片GaP和GaAsP芯片是最早出现的LED芯片,图<1>是普通GaP/GaP芯片外形尺寸图(不同芯片,电极的形状不一样)。这类芯片大多数正面为P面,连接到电源的正极,背面为N面,连接到电源的负极。约在管芯2/3高处,是P区和N区的交界处,称PN结。我公司当前使用较多的是台湾光磊以及南昌欣磊生产的产品,包括台湾光磊的ED-010PG、ED-011PG、ED-011YGH、ED-011YGHU、ED-011YGN、ED-108YG以及南昌欣磊的SR-008RDH、SR-008YGH、SR-011RDH、SR-011RDN、SR-011YGH、表<2>是以上芯片的外形尺寸和发光峰值波长。图<1>是台湾光磊ED-011YGH芯片外形尺寸图。表<2>台湾光磊、南昌欣磊部分GaP芯片基本尺寸和峰值波长型号基本尺寸(长×宽×高)电极直径峰值波长ED-010PG235×235×255(μm)105(μm)557(nm)ED-011PG260×260×275(μm)110(μm)557(nm)ED-011YGH235×235×255(μm)110(μm)568(nm)ED-011YGHU235×235×255(μm)110(μm)568(nm)ED-011YGN210×210×255(μm)110(μm)568(nm)ED-108YG185×185×200(μm)105(μm)568(nm)SR-008RDH8×8×10(mil)(mil)700(nm)SR-008YGH8×8×10(mil)(mil)565~575(nm)SR-011RDH10×10×10(mil)(mil)700(nm)SR-011RDN9×9×10(mil)(mil)700(nm)SR-011YGH10×10×9(mil)(mil)567~574(nm)SR-011YGN9×9×9(mil)(mil)567~574(nm)说明:(1)1mil=;(2)台湾光磊ED-2××××芯片正面为N面,背面为P面,见图<2>。图<1>台湾光磊ED-011YGH芯片基本尺寸图图<2>台湾光磊ED-,正面为P面,反面为N面。我们当前使用的该类芯片主要是台湾光磊生产的ED系列芯片,其基本尺寸和发光峰值波长见表<3>。表<3>部分GaAsP/GaP芯片基本尺寸和峰值波长型号基本尺寸(长×宽×高)电极直径峰值波长ED-011HOH235×235×255(μm)110(μm)632(nm)ED-011HO260×260×255(μm)110(μm)632(nm)ED-011SO260×260×255(μm)110(μm)610(nm)ED-011HY260×260×255(μm)105(μm)589(nm)ED-011HYH235×235×255(μm)105(μm)589(nm)图<3>是ED-011HYH芯片的主要尺寸图。图<3>GaAsP/GaP芯片基本尺寸图注意点:注意点:(1)GaAsP/GaP芯片峰值波长最长655nm(型号中有“HR”,如:ED-012HR);(2)GaAsP/GaP芯片最薄为180μm,型号中带-T,如:ED-011HOH-T)(AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs)芯片和GaP、GaAsP芯片不同之处在于:大多数AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs芯片正面为N面,连接到电源的负极,背面为P面,连接到电源的正极。AlGaAs芯片发光颜色为红色,峰值波长在630~670nm之间。表<4>是我公司当前常用的A