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第六章晶体三极管及其放大电路.ppt

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、三个区、两个PN结。面积大发射区:发射载流子集电区:收集载流子基区:,发射极电流的实际方向5扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。外部条件发射区比基区重掺杂;基区很薄;,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低,使扩散到基区的电子(非平衡少子)中的极少数与空穴复合因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散7电流分配:IE=IB+IC3个电极的电流关系IE>IC>IB交流电流放大系数直流电流放大系数大表示只要基极电流很小的变化,就可以控制产生集电极电流大的变化,即电流放大作用好。:发射结正向偏置,集电结反向偏置。NPN型:VC>VB>VEPNP型:VE>VB>?对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性?为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了?:~,锗管:~,iB减小,同样uBE下,

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