第四章半导体存储器.ppt

第四章 半导体存储器第一节概述一、存储器的分类按存取速度和用途内存外存:通过系统总线直接与CPU相连:通过I/O接口与CPU相连二、半导体存储器的分类按制造工艺双极型CMOS型HMOS型按应用角度RAM:随机读写存储器 essMemoryROM:只读存储器 ReadOnlyMemory第四章 半导体存储器第一节概述一、存储器的分类二、半导体存储器的分类第四章 半导体存储器第一节概述一、存储器的分类二、半导体存储器的分类三、半导体存储器的指标半导体存储器的指标:可靠性、功耗、价格、电源种类、芯片的容量和存取速度等等。(一)容量存储器的容量是指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。存储器容量表示方法:单元数X数据线位数存储容量=1024×8=8K位(bit)=1K字节(byte)8根数据线10位地址第四章 半导体存储器第一节概述半导体存储器的组成:一般由存储体、地址选择电路、输入输出电路和控制电路组成。第四章 半导体存储器第一节概述一、存储器的分类二、半导体存储器的分类三、半导体存储器的指标(一)容量(二)存取速度存取速度由存取时间衡量。从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需要的时间。存取速度超高速存储器<20ns中速存储器100~200ns低速存储器>300ns第四章 半导体存储器第一节概述第二节随机读写存储器(RAM)静态RAM(SRAM):存储单元使用双稳态触发器,可带电信息可长期保存,只要不掉电,信息可长期储存,需要大量的MOS管,集成度低。动态RAM(DRAM):使用电容作存储元件,需要刷新电路。电路简单,集成度高,反应快,功耗低,但电容中电荷由于漏电会逐渐丢失,所以需要定时刷新电路。RAM按功能可分为静态、动态两类第四章 半导体存储器第二节随机读写存储器(RAM)一、静态RAM(一)静态RAM的基本存储电路(6个MOS管组成)(T1-T4)T1、T2:放大管T3、T4:负载管T1管截止,A=1, T2管导通,B=0。同时保证了T1管的截止。一种稳定状态:第四章 半导体存储器第二节随机读写存储器(RAM)一、静态RAM(一)、T6:控制管(存储单元被选中导通)(1)选择线高电平(2)I/O=1,I/O=0则A=B=10则T5、T6:导通当写入信号和地址译码信号消失后,T5和T6截止,该状态任然能保持。第四章 半导体存储器第二节随机读写存储器(RAM)一、静态RAM(一)(1)选择线高电平则T5、T6:导通(2)I/OA,I/OB所储存的信息被读出以后,所储存的内容并不改变,除非重写一个数据。第四章 半导体存储器第二节随机读写存储器(RAM)一、静态RAM二、动态RAM(一):电容C有电荷时,:刷新(2ms)(1)行、列选择线高电平(2)数据输入/输出线高电平电容C充电,为高电平。(3)数据输入/输出线低电平电容C放电,为低电平。