*电阻率变化广泛应用于:力、压力、微位移、加速度及相关量的测量优点:结构简单、性能稳定灵敏度高、精度高适应静、:伸长量dl半径减小dr,,弹性模量E:压阻效应几何效应Date4应变片材料灵敏度系数在弹性范围内,电阻相对变化量与应变成正比直接测应变、应力因πE无解析式,:(1):线性好、精度高、性能稳定灵敏度低,一般k0<3转换原理:基于几何效应Date6(2):灵敏度高,是金属应变片的几十倍;制造简单、尺寸小;温度稳定性差、:—粘贴应变片——固化处理破坏式测量。、铜镍合金、贵金属等、直径约25μm锗硅半导体材料厚1-10μm,半导体蒸涂、沉积工艺Si片电阻箔材料厚1-10μm,照相、光刻工艺、:l×b阻值R0:未安装时室温阻值60Ω、120Ω、350Ω、600Ω、1000Ω灵敏度系数:标称灵敏度:说明书所注;实际灵敏度系数:安装条件下、轴向单向应力作用下的灵敏度试验标定绝缘电阻:>1010Ω允许电流静态25mA;动态75-100mAlbDate10
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