《nand-flash nor-flash sdram.》.doc

第一章存储器概述存储器通常分为两类型,即随机存取的RAM与只读的ROM。随着存储器技术的发展和嵌入式系统的要求一些新的混合型的存储器迅速发展起来,本章就目前广泛应用于嵌入式系统中的新一代存储器Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM的基础知识进行介绍。FlashMemory内部构架和实现技术可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种,但目前以NAND和NOR为主流。NOR技术是由Intel公司1988年首先推出,NAND技术是由东芝公司1989年发明。NAND技术在设计之初是为了数据存储应用,NOR则是为了满足程序代码的高速访问,并且支持程序在芯片内部运行。目前关于两种技术的发展前景讨论很激烈,各种观点很多。客观来看,二者各有优势和不足。NOR工作电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高;而NAND则写回速度快、芯片面积小,特别是容量大有很大优势由于NOR和NAND在存储单元组织上的差异,二者的寻址方式差异较大。NAND的地址分为三部分:块号、块内页号、页内字节号。一次数据访问,NAND一般是经过三次寻址,先后确定块号、块内页号和页内字节号,至少占用三个时钟周期,因此随机字节读写速度慢。而NOR的地址线足够多,且存储单元是并列排布,可以实现一次性的直接寻址。另外,由于NOR的数据线宽度很大,即使容量增大,它的数据寻址时间基本上是一个常量,而NAND则比较困难。总之在数据传输速度上,NOR无论是在随机读取还是连续传输速度上都比NAND快,但相对而言,在连续大数据传输速度上,二者差异较小。从产品成本来看,NORFlash的平均每MB成本是NANDFlash成本的三到四倍。成本价格的巨大差异,导致NOR容量增长比NAND困难。NORFlash适用代码高速访问与执行,因此移动电话是NOR最常见的应用环境。随机存取存储器RAM(essMemory)是易失性的存储器,在掉电以后数据即消失,不能够长久保存。但与ROM器件不同的是,它的随机读写速度非常快,写入数据之前也不需要进行擦除,这些特性使它成为嵌入式系统中必不可少的存储设备之一。在嵌入式系统中,通常都将数据区和堆栈区放在RAM中,供快速的读写。常用的RAM分为SRAM(静态RAM)和DRAM(动态RAM)两种类型。SRAM中的位单元被赋予0或1的状态之后,它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态,或者断电之后才会更改或消失。SRAM的速度相对比较快,而且比较省电,但是存储1位的信息需要4~6只晶体管,制造成本太高。DRAM与SRAM不同,存储一个位的信息只需要1只晶体管,但是需要周期性地充电,才能使保存的信息不消失。DRAM存储一个位的信息需要的晶体管比RAM要少得多,易于做成大容量,制造成本低。SDRAM即同步动态RAM,存储位单元的基本原理同前面提到的DRAM基本一样,但是这些存储位单元的组织和控制与DRAM就具有相当大的差别了。下面将分别介绍Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM存储器件。1、Nand-。Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢,但因其随机读取速度快,因此在嵌入式系统中,常应用在程序代码的存储中。Nor-flash存储器的内部结构决定它不适合朝大容量发展;而NAND-flash存储器结构则能提供极高的单元密度,可以达到很大的存储容量,并且写入和擦除的速度也很快。但NAND-flash存储器需要特殊的接口来操作,因此它的随机读取速度不及Nor-flash存储器。二者以其各自的特点,在不同场合发挥着各自的作用。NAND-flash存储器是flash存储器的一种技术规格,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量存储器的实现提供了廉价有效的解决方案,因而现在得到了越来越广泛的应用。例如体积小巧的U盘就是采用NAND-flash存储器的嵌入式产品。由于NAND-flash(非线性flash)存储器内部结构不同于Nor-flash(线性flash)存储器,因此对它的读写操作也有较大的区别。BF533中没有像支持SDRAM一样提供直接与NAND-flash存储器的接口,读写的过程要靠软件编程来完成。本实验将以东芝公司的TC58DVM82A1FT芯片为例,介绍NAND-flash存储器芯片的读写流程和时序。。编写程序,读出器件的识别码(ID)。对NAND-flash的一个或若干个块进行擦除操作。在被擦除的一个或若干个块写入数据。将写入的数据读出并进行验证。查找坏块。-flash介绍及编程指导NAND-flash存储器中的宏单元彼此相连,仅第一个和最后一个Cell分别与WorkLine和BITLine相连,因此NAND-fl