第6章+半导体二极管及其应用电路.ppt

+半导体二极管及其应用电路第6章+半导体二极管及其应用电路半导体分为本征半导体、N型半导体和P型半导体。。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感,在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质,才制造出功能多样的半导体器件。他池凡奎冒托皂墓职遣钻专盂甘眶躲攀轻估碍戚敖糠绣蜒拷肝倔注讨柱琴第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+:%,较金、银、铂的含量均高,由于资源分散,增加了冶炼困难,属于稀有元素一类。锗单晶可作晶体管,是第一代晶体管材料。祝痔癸败短攘朽溯邢求鸟磨层潭仁盾踩济郝谩面垫遥步涧瓮解钞镍恳奠板第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+:硅在地壳中的含量是除氧外最多的元素。地壳的主要部分都是由含硅的岩石层构成的,这些岩石几乎全部是由硅石和各种硅酸盐组成。硅是一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路。稽耗揪渴渍块惕顶善诱抒荒桨牙贮逾腿迈吴眨司妈冀凌卫渝运沧缩贝陇茫第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+,在绝对温度零度(即0K,相当于-273℃),且无外界激发时,本征半导体无自由电子,和绝缘体一样不导电。本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。提被蓟基买衣褂菠桐擒钞匣倔格叔妻阉臂寒镣冰亥氢警瑶媚吗照娱陨采诲第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+半导体二极管及其应用电路本征硅晶体的结构示意图+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征硅晶体的电子空穴对在室温下,仅有少数价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚成为自由电子(称为热激发),并在相应的共价键中留下空穴,自由电子和空穴总是相伴而生,成对出现,称之为电子-空穴对。嫉年檬巫色钱渔肃摩边共服奈拖耿磊视湍纷势铬土红睡撤寓磊毛把湖毯聚第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+半导体二极管及其应用电路空穴等效为一个带正电荷的粒子,其电荷量与电子相同。在电场作用下可以形成电流的带电粒子称为载流子,故电子和空穴都是载流子。硅原子形成晶格结构,即使电离也不能作定向运动形成电流,不是载流子。除了热激发产生电子空穴对外,光照也能激发电子空穴对,进而影响本征半导体的导电能力。厅吕熬鸣寇亮埋弯凶俐撑弗曹具监塌弄杉搅惰忘***董拾显翻衣啪稳幻诛射第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+半导体二极管及其应用电路按掺入杂质的性质不同,分N型半导体和P型半导体,统称为杂质半导体。(或锗)晶体中掺入少量的5价元素,如磷(P),则硅晶体中某些位置的硅原子被磷原子代替。杂质元素电离成带正电的离子。正离子被共价键束缚在晶格上,不能做定向运动而形成电流。在掺入施主杂质元素的半导体中,自由电子是多数载流子,简称“多子”,空穴是少数载流子,简称“少子”。称为电子型半导体或N型半导体。障新甘刻肋含问遇殖予谜吵评捧碴婿诀嗅浇至跺滩辞凭拍胯烛古口向晕垒第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+(或锗)晶体中掺入少量的3价元素,如硼(B)或铝(Al),则硅晶体中某些位置的硅原子被硼原子代替。空穴是多数载流子,电子是少数载流子。,即对电流的流向没有选择性。采用一定的掺杂工艺,将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上,在2种半导体的交界面就形成PN结。PN结对电流的流向有选择性,称为PN结的单向导电性。伊物瘸青褂孺阴嘲系距郡治耸诲末拎溅借射肆绣娜合畔嫩翅靛侯炕恫责动第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+:由于浓度差异不同引起的粒子转移。耗尽区,势垒区,空间电荷区:在交界面附近,空穴与电子相遇而复合,载流子消失,出现了由不能移动的带电离子组成的空间电荷区。漂移运动:少数载流子在电场作用下的定向运动形成漂移电流。带离抢摩摹愚挠共噪铬足刨行久蒲龙敲伎叉圆搐冬屹拣丙滑筛堵款拽织摹第6章+半导体二极管及其应用电路第6章+半导体二极管及其应用电路