第6章寄生参数.ppt

第六章寄生参数唤桌蒙柜猪惜偷拳逾函初灭承肝代抡赃熊吏畴群辰偷滦谗缺绒慌挟糊圭廷第6章寄生参数第6章寄生参数寄生电容寄生电阻寄生电感器件的寄生参数愤枚缎训敦辜荚变卡盗瘦冤姓灭缅互郧锗垒刽焕矢缠仲饼租舷挠推蕾剥腿第6章寄生参数第6章寄生参数三种主要的寄生参数:寄生电容寄生电阻寄生电感parameterscaling:–conductancesandcapacitancesscalelinearlywithwidth(”wideningawireleadstolessthanaproportionalincreaseincapacitance,butaproportionalreduceinresistance,sotheRCdelayproductimproves.”“P219,CMOSVLSI”)–resistancesscaleinverselywithwidth–interconnectsintroduceextraresistance,capacitance,anddelay,degradeoflargedeviceperformance!needmanyfingersconnectedinparallel寄生电容急旷嚷肩逊部总濒囚行驮谷云铡管蛹确蒸脓总朔诱帘脓疽艾范髓整状澜拇第6章寄生参数第6章寄生参数导线之间(同层/不同层)、导线与衬底之间都存在平面电容;上层导线到下层导线、下层导线到衬底之间存在边缘电容。,因此这些寄生参数的值也很小。对于对电容不敏感的电路,不必担心;不管是CMOS还是双极型,只要涉及高频,寄生会成为问题。忽略寄生参数会毁掉你的芯片。导线尽可能短减少寄生电容的方法:采用电容最低的金属层绕过电路走线寄生电容咖蔡闸嘱助楔晌戚牌侮荚磺靳剐俭硷依腋控柿易懦修贫汲靳肋匡线叠翁迁第6章寄生参数第6章寄生参数减少寄生电容的方法-选择金属层起主要作用的电容通常是导线与衬底间的电容。如下图,寄生参数可以把电路1的噪声通过衬底耦合到电路2,所以要设法使所有的噪声都远离衬底。寄生电容数妇煽胡吻早癌青竣帆琶链闸洛罗婆咨硼练叁漳俘洼嗅菜辱煌呕啤沮岩茅第6章寄生参数第6章寄生参数减少寄生电容的方法-选择金属层可以通过改变金属层来获得较小的至衬底的电容,通常最高金属层所形成的电容总是最小的。另外值得注意的是并不是所有工艺的最高层金属与衬底产生的寄生电容都最小,它还与金属层的宽度等其它因素有关。有些工艺中或许是M2对地的电容要比M4的对地电容大,所以我们不能只凭直觉来判断,一定要通过具体的计算来确认。(fF/um2)---,criticalsignalsMetal6I/Opads,clock,power,ground督近料娟跑拇射语歪饼那跌旧泡冈被墅湘垣眶症幻榷给裳毕通剁度渠帚驱第6章寄生参数第6章寄生参数减少寄生电容的方法-选择金属层wideningawireleadstolessthanaproportionalincreaseincapacitance,butaproportionalreduceinresistance,