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第27卷第 2期固体电子学研究与进展 V o l. 27,N o. 2

2007 年5 月 RESEA RCH & PRO GRESS O F SSE M ay, 2007
宽禁带半导体
Ξ
p 型氮化镓退火及发光二极管研究
邢艳辉韩军刘建平牛南辉邓军沈光地
(北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京, 100022)
2006207217 收稿, 2006209222 收改稿
摘要: 对金属有机物化学气相淀积(M OCVD) 技术在蓝宝石衬底上生长的p 型氮化镓(p2GaN ) 在氮气气氛下的
热退火进行研究。用Ha ll 测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能; 对一组蓝光L ED s 分别进行不
同退火温度、退火时间实验, 对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究。实验表明p2GaN
在825°C、8 m in 条件下退火可以取得较高的空穴浓度, 而L ED 在750°C、30 m in 退火可以使量子阱的半高宽展宽较
小, 积分强度降低百分比小, 而且L ED 芯片正向电压也较小。
关键词: 氮化物; p- 氮化镓; 电学特性; 发光二极管
中图分类号: TN 312 + . 8 文献标识码: A 文章编号: 100023819( 2007) 022186204
In vestiga t ion of p-GaN Therm a l Annea ling an d
L ight Em ittin g D iode
X IN G Yanhu i HAN Jun L IU Jianp ing N IU N anhui DEN G Jun SHEN Guangdi
(College of E lectron ic Inf orm a tion a nd Control E ngineering , B eij ing U n iversity
of T echnology, B eij ing , 100022, CH N )
Abstrac t: The p2GaN inve stigated w a s grow n on sapp hire substra tes by me tal2o rganic chem 2
ica l vapor deposition, and the rma l annea ling under N 2 am bient. O n the differen t the rma l temper2
a ture and time cond itions, its e lectrica l p roper tie s w ere demonstra ted by H a ll m ea sure system,
and a se ries of blue L ED s w ere studied by PL a lso, then, the ir fu ll w idth at ha lf m axim um
(FW HM ) broaden and integra l area reduction percentage of L ED s quan tum w ell w pa red