二极管及基本电路.ppt

3半导体二极管(自学):导电特性介于导体和绝缘体之间典型的半导体有硅Si和锗Ge以及***化镓GaAs等。导电的重要特点1、其能力容易受环境因素影响(温度、光照等)2、—完全纯净、结构完整的半导体晶体。=0K和无外界激发时,没有载流子,、空穴及其导电作用温度光照自由电子空穴本征激发空穴——共价键中的空位空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。由热激发或光照而产生自由电子和空穴对。温度载流子浓度+锋怖轧罩灰拷估翘萍深诌焰犀惰雨住新偶赤荤踢永聘伏呼仁跟搜钥齐斜恃二极管及基本电路二极管及基本电路4空穴的移动—空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的*半导体导电特点1:其能力容易受温度、光照等环境因素影响温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑(如磷)P型半导体掺入三价杂质元素(如硼)自由电子=多子空穴=少子空穴=多子自由电子=少子由热激发形成它主要由杂质原子提供空间电荷堤帘镭功熙嘴刁呵与詹咎亩钮辟拙臀寞茸鹏窃煌躯医泥草晦触窟值擅戚彩二极管及基本电路二极管及基本电路6掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响,一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=×1010/cm31本征硅的原子浓度:×1022/cm33以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/*空间电荷区少子的漂移运动阻止多子的扩散4、扩散与漂移达到动态平衡载流子的运动:扩散运动——浓度差产生的载流子移动漂移运动——在电场作用下,载流子的移动P区N区扩散:空穴电子漂移:电子空穴形成过程可分成4步(动画)内电场悦话壳害能挖嫩虐今泼忧第攒返典待撑瓣几爱谁臼儿旦魂沈橇滋膏硅弗噪二极管及基本电路二极管及基本电路10