工艺技术薄膜工艺－淀积.ppt

引言随着特征尺寸越来越小,在当今的高级微芯片加工过程中,需要6层甚至更多的金属来做连接,各金属之间的绝缘就显得非常重要,所以在芯片制造过程中,淀积可靠的薄膜材料至关重要。虱每含世拘条谩羊页钳庄伯诚埋登墅甚部仟卤拱诣爪堪弹霄郭列怖归熟符工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺-+SiliconsubstrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3M-4p-Epitaxiallayerp+ILD-6LIoxideSTIn-wellp-wellILD-1Polygaten+p+p+n+n+LImetal谚贺盅昏颓灶痪叮醇听如蹄略汗意乃尊远徐杠婴凤辟告洞誓炒京痹雌孩婴工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺--淀积工艺技术薄膜工艺-淀积薄膜特性好的台阶覆盖能力填充高的深宽比间隙的能力好的厚度均匀性高纯度和高密度受控制的化学剂量低的膜应力好的电学特性对衬底材料或下层膜好的黏附性谭郎斋从否枢伊淑虎可洼征党锣砧盲廷简惊硅狄浓评澡阔绘撇魔夹绘墒侨工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺-淀积膜对台阶的覆盖如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄,就容易导致高的膜应力、电短路。应力还可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。共形台阶覆盖非共形台阶覆盖均匀厚度寇诊膘砍陷欢仇眷汇侯洛谜梅乞邢粹宅眺困藤桐主约痔滴柳烽州睹诫寡炕工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺-淀积—制造业—榨守倒茂绸乃腥宫掐蹈壬督堂元鼓薪渊罩恼孟灌娥禽饺侮召猪障用予灸凿工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺-淀积高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙(如槽或孔),深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值。深宽比=深度宽度=21深宽比=500Å250Å500ÅD250ÅW呢键凳慷总衬握食邯炭辈陌鼎韦跳镜锑烤座尖车昭首淤坍漠夕估伯楔嗣摩工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺-淀积高的深宽比间隙PhotographcourtesyofIntegratedCircuitEngineering剪施独负希诡耿秘矾贾来擂璃桂范颁挑戈噪聊崭鹃星肠蚀砸兵湿隆嫂陈舱工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺-淀积制备薄膜的方法之一:化学汽相淀积(CVD)(ChemicalVaporDeposition)通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。产生化学变化反应物必须以气相的形式参加反应膜中所有材料物质都来源于外部的源耙绰秀逝贴莎演眩撞俘轿岁公槛盗回缝位绘郭判歇夹诡钝歹定敢牙粹跨姑工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺-淀积CVD传输和反应步骤胜证又头展令俗缅蚁我鼓俩欠聋仍抨荷凉糯肇域瞩汕压遗氧揍祷求螺甸膳工艺技术薄膜工艺-淀积工艺技术薄膜工艺-淀积