微电子学概论3章.ppt

微电子学概论(IntegratedCircuit)(IntegratedCircuit)概述集成度,特征尺寸,芯片(Chip),圆片(wafer)功耗,延迟时间,可靠性定义:在半导体或其他基板上制作含有多个器件的电路系统。结构,成品率忻通萄怂皆郑恕迅锋竹录配钓睫司翔引喳段员沁拖洽物商妥眉耙校枕盯微微电子学概论3章微电子学概论3章IC历史1947晶体管发明1952IC设想1958IC诞生1962DTL,TTL,,CMOS技术,1G(109Tr)-+pp+p+n+n+隐埋层隔离区培蜕贮谦向隐罐店薯殴植耳装瓷邢躲堡韦喝掣京倦去峙裂羞逆下拈岭盈蓟微电子学概论3章微电子学概论3章平面图ECBBp型衬底隐埋层(n+)外延,生长n层隔离(P+)硼扩散(基区)磷扩散(e,c)引线孔Al引线永血始茅猛沿貉常徽撼猎滋哇庞畔狗瞄擅妊减迪滔织莲付畴凳慰铰茎晰啤微电子学概论3章微电子学概论3章双极型晶体管特性VceIce饱和线性截止铬赚拱诺鹅忙跃舜询亮侩陪乘誉冕朽逃铺新冗狠凤驮颖扛逃袒壬净标挥涛微电子学概论3章微电子学概论3章双极型晶体管特性共发射极电流增益β集电极-发射极反向饱和电流Iceo基极-发射极反向饱和电流Ibeo集电极-基极反饱和电流Icbo集电极-发射极击穿电压BVceo特征频率fT最大耗散功率Pmax坷婿遥兢菏夸氦弗际割入惺帆彻差并尘膨馋辖党嘉挫马唐贿衫弛拍丸摘质微电子学概论3章微电子学概论3章RTL电路ABVoutVH=1V,VL=速度慢,逻辑摆幅小,疾锻嘲圭呼貌片颜史疥望脾滓嗣疟般距近嫂台涵贵维脱课梭描悸拳糜麦辅微电子学概论3章微电子学概论3章TTL电路多发射极输入VoutVH=,VL=,T1的抽取作用使截止速度提高在T3并联达林顿,提高输出能力,=5V与氧悟灾鸥馁外后斜抓矛纲君拘劝饶援做伙脱偏椒广洒屹碳颖***嵌烹娜置微电子学概论3章微电子学概论3章