硅片行业术语.doc

Acceptor-Anelement,suchasboron,indium,-一种用来在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子AlignmentPrecision--在光刻工艺中转移图形的精度。Anisotropic-Aprocessofetchingthathasverylittleornoundercutting各向异性-在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。AreaContamination-,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。由沾污、手印和水滴产生的污染。Azimuth,inEllipsometry--测量入射面和主晶轴之间的角度。Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.(Note:Thistermisnotpreferred;instead,use‘backsurface’.)背面-晶圆片的底部表面。(注:不推荐该术语,建议使用“背部表面”)BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,-在绝缘层下部的晶圆片,是顶部硅层的基础。Bipolar--能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起,作为绝缘层。BondingInterface--两个晶圆片结合的接触区。BuriedLayer--为了电路电流流动而形成的低电阻路径,搀杂剂是锑和***。BuriedOxideLayer(BOX)-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowa