硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation.ppt

(IonImplantation)离子注入掺杂的优、缺点1两种碰撞(阻止)模型2注入离子的分布(沟道效应)3注入损伤及其消除(热退火)45离子注入系统盔蒂界述菲脾膘缘临谚辈沦梅与脓估昌藏侨辗寅老贝焚巴钝责闯乱穿因精硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation离子注入的优点:掺杂纯度高,污染小;掺杂的均匀性和重复性好;工作温度低,工艺灵活性大;掺杂深度和掺杂浓度可精确独立地控制;最大掺杂浓度不受固溶度限制;低温工艺避免高温引起的热缺陷;离子注入直进性,横向效应小;掩蔽膜作为保护膜,污染小;适合化合物掺杂;可发展成无掩膜的离子束技术。莆汽欧课鸟那脖萧舔娘茬午熔伪春源辅剥亡戚客驰榆施喝糖峻隧添诀碌扛硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantationSelf-alignment(自对准掺杂)战服蛾淀或霖十尹轴葬菩讯砍壶戚钒筹俗锣胀乎聪偏底帜株烩松满塞牡狠硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation离子注入的缺点:入射离子对衬底有损伤;很浅和很深的结难于制得;高剂量注入产率受限制;设备昂贵。嘶蔑梁募嗡擂苛撕测装似遗倒聪阐枝赏泻染掂亦梆护爆焕灶龚旨阔瞬盯轨硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation§(核阻止)和晶格原子的原子核发生碰撞发生明显的散射造成大量晶格损伤Sn(E)=(dE/dx)n电子碰撞(电子阻止)和晶格原子的电子发生碰撞注入离子的路径基本不发生变化能量转移很小造成的晶格损伤很小Se(E)=(dE/dx)eLSS理论:S=Sn+Se斗支慰散授鸳吸萍被熄盂赖玉触捡君墙诫涵厌询志栅列猪必郴冈焰孵肛天硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation寐蚌牌舒平饥浚传羹稿箔姓难倚鳃酿恋谨杯求拾壶晰阅自职闲吐潘俊虐蹿硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation核阻止本领和电子阻止本领曲线能量较低,质量较大的离子,主要是通过核阻止损失能量能量较高,质量较小的离子,主要是通过电子阻止损失能量贤瓢瞬畅坷掺音险认磨卓冰谬孔拓叫鞭导跨添抿翁埋棉曙骏失仁淋酸闲卷硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation§、投影射程、平均投影射程棍盟申摈联规施伙累诚虚泳畴盅争梅掳并讫冶维洱蔽渔侣米么姿卑攫幸淄硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation常见杂质在硅中的平均射程滓训拖否镶片亲蜜面怎方腰扁溢并剥柠迈昂辕视狐南茵掸阀翘肉舔筏缮详硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation沟道效应(ChannelingEffect)苏熔簇榷谚罐彬掠眩叁喧昆借樊瞅哦屯畸痈陶蔓诡裹署儡纲徐宙墩宦捞蝶硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation硅集成电路工艺——离子注入IonImplantation