2010年元件工技师考试试卷.doc

中国南车股份有限公司2010年元件工技师理论知识考试试卷(A)一、填空题(请将正确答案填在横线空白处,每空1分,共20分),掺入磷则可以形成N_型半导体。,按照化学组分,可分为元素半导体和化合物半导体。3.Ⅴ族元素在硅中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质___;Ⅲ族元素在硅中电离时,能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心,称它们为__受主杂质___。4单位体积中含有的杂质原子数称为___杂质浓度__,而杂质在一定温度下能溶入固体硅中最大的杂质浓度称为__固溶度____。,。=q(np/τ)Ln,PN结雪崩击穿电压与电阻率的关系表达式是__VB=。-n结边缘磨一个斜角,可以降低表面电场。磨角的方向由高浓度层磨向低浓度层,低浓度层磨得多,称为V;磨角的方向由低浓度层磨向高浓度层,高浓度层磨得多,称为___负斜角___。。、Pa、bar等,1Torr==×10-3__bar。、导通条件为_____α1+α2>1____。,元素S的化合价为+6价。二、选择题(请将正确答案的代号填入括号内,每题1分,共15题15分)(B)。(A)(B)(C)(C)无关。(A)温度(B)门极(C)电压3.(C)以下哪种描述是错误的。(A)门极触发可以使晶闸管开通;(B)过电压可以使晶闸管开通(C)di/dt可以使晶闸管开通4.(A)封装管芯时,管壳内应充氮气做为保护气体。氮气的压力应:(A)小于大气压(B)等于大气压(C)大于大气压5.(A)铝、镓、硼三种杂质源在硅中扩散系数最大的是:(A)铝(B)镓(C)硼6.(A)pH值为6的溶液是溶液。(A)酸性(B)中性(C)碱性7.(A)在生成SiO2的过程中需要通入和O2和H2O,H2O的作用是(A)提高氧化速度;(B)降低氧化速度:(C)与氧化速度无关8.(A)SiO2膜:。(A)对某些杂质有掩蔽能力;(B)对所有杂质有掩蔽能力(C)对杂质无掩蔽能力9.(A)不对硅片沾润质量产生影响的因素是。(A)硅片厚度(B)真空度(C)烧结温度10.(C)经过一定剂量的电子辐照后晶闸管门极电流如何变化?(A)减小(B)基本不变(C)增大三、判断题(正确的请在括号内打"√",错误的打"×",每题1分,共15题15分),晶闸管就可以导通。(×),空穴移动方向与电子移动方向是相同的。(×),仅在门极承受一定正向电压的情况下晶闸管才导通。()。(×)。()。(×)。(),应先在容器中倒入浓硫酸,然后再倒入水。(×)