在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管分类材料:硅二极管和锗二极管用途:整流、稳压、开关、普通二极管结构、工艺:点接触型、(1)点接触型二极管PN结面积小,所以极间电容小,适用于高频电路和数字电路。不能承受高的反向电压和大电流.(a)点接触型二极管的结构示意图集成电路中的平面型二极管往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管PN结面积大,可承受较大的电流,,不宜用于高频电路。(b)面接触型(c)-I特性锗二极管2AP15的V-I特性正向特性反向特性反向击穿特性(1)正向特性:正向电压低于某一数值时,正向电流很小,只有当正向电压高于某一值后,才有明显的正向电流。该电压称为门限电压或死区电压Vth。,。通常认为,当正向电压大于Vth时,二极管导通。锗二极管2AP15的V-I特性(2)反向特性:二极管加反向电压,反向电流数值很小,且基本不变,称反向饱和电流。硅管反向饱和电流为纳安数量级,锗管的为微安数量级。反向电流随温度升高而明显增加。(3)反向击穿特性:当反向电压加到一定值(VBR)时,反向电流剧增,即反向击穿。普通二极管反向击穿电压一般在几十伏以上(高反压管可达几千伏)。锗二极管2AP15的V-:二极管的特性对温度很敏感,温度升高,正向特性曲线向左移,反向特性曲线向下移。其规律是:在室温附近,在同一电流下,温度每升高1℃,正向压降减小2~;温度每升高10℃,反向电流约增大1倍。器件参数是其特性的定量描述,,,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,,,其值愈小,,Cd=CD+,,其原工作状态不能在瞬间完全随之变化。*二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而图解分析法则较简单,但前提条件是已知二极管的V-I特性曲线。:由电路的KVL方程,可得即是一条斜率为-1/R的直线,称为负载线Q的坐标值(VD,ID)即为所求。,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。
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