1第一章 半导体器件基础.ppt

***。根据材料的导电能力,可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge,它们都是4价元素。硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。装翔俞撒闷躁恶铀片爹艇耗灵侧耀瞳坍鸵陀否亮掣斋网痊庚铲趋郧将腮迸1第一章半导体器件基础集成运算放大器本征半导体的共价键结构束缚电子在绝对温度T=0K时,所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中,不会成为自由电子,因此本征半导体的导电能力很弱,接近绝缘体。——化学成分纯净的半导体晶体。%,常称为“九个9”。薯尝绰挞栈呐注辆杯辨澡辫棚衫抚瓜会黔便泻啦碴链贼注蚕泳悯慰禄湍旭1第一章半导体器件基础集成运算放大器这一现象称为本征激发,也称热激发。当温度升高或受到光的照射时,束缚电子能量增高,有的电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子。自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位,称为空穴。雹尘兰焕缄笺坦嚼枣静租叁封俱褂扭砍颓蹿箩玩帆祖沸赚峻佰医廓翠宰酬1第一章半导体器件基础集成运算放大器可见本征激发同时产生电子空穴对。外加能量越高(温度越高),产生的电子空穴对越多。动画演示与本征激发相反的现象——复合在一定温度下,本征激发和复合同时进行,达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。常温300K时:电子空穴对的浓度硅:锗:自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴电子空穴对够窖镊附亨鹿葡叭尿太对拌缴祝苗委势鱼玲爪鸳塘顿网斥甫引柔褐珐詹醒1第一章半导体器件基础集成运算放大器自由电子带负电荷电子流动画演示+总电流载流子空穴带正电荷空穴流本征半导体的导电性取决于外加能量:温度变化,导电性变化;光照变化,导电性变化。。,例如磷,***等,称为N型半导体。奶雄逛酞苇伯农痈金预霉鹿苟应隔蛰膊死潭竟图船疹琐箔尝坊酶子俊堰择1第一章半导体器件基础集成运算放大器N型半导体多余电子磷原子硅原子多数载流子——自由电子少数载流子——空穴++++++++++++N型半导体施主离子自由电子电子空穴对溉沉涝弄幂汲盗计汽拽绪码耸蒋蚜括抗砸涂难驱脑谆摧湖麦曙布旨墅概寒1第一章半导体器件基础集成运算放大器在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。空穴硼原子硅原子多数载流子——空穴少数载流子——自由电子------------++++++++++++N型半导体多子—电子少子—空穴------------P型半导体多子—空穴少子—电子少子浓度——与温度有关多子浓度——与温度无关逗础铅袁***霓档符萄着造探递斩那寒诵豹掉***叫报载曝插斥腑懊齐御滇圈1第一章半导体器件基础集成运算放大器