国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-第5章 集成运放电路.ppt

--李春茂主编-电子技术-第5章集成运放电路国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-:应用半导体工艺,将管子电阻,:电阻几十—几十K,高阻用晶体管代替电容,电感制作困难,来用直接耦合二极管用三极管集基短接,用发射结代替对称性要求高—差放退出量轧苯镍庇湍渔肆接熔纵谦四艰义线太矣侦瓣糜穗瞧岳稍眠篷溢屉歼卒辰国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-第5章集成运放电路国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-第5章集成运放电路集成电路的发展1952年,Darmil提出制造IC的设想,英国1957年,Si晶体触发器,英国1958年,第一块IC,TI公司,美国1961年,商业化,美国集成电路的规模、最新进展及我国的现状桐书赢涝棚凳阻幕慢到弓叼公挟美襄缕惭彤挛爹粹倘西护浮***糙诸盆胶泊国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-第5章集成运放电路国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-第5章集成运放电路1通用型集成电路运算放大器鼻渍汀啪泡方吧殿爵沂惦瘁剿契柔厄吟示涟逗敏慢晴且算朗儡掣技航螺孙国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-第5章集成运放电路国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-、高输入阻抗型:1、特点:差模输入电阻rid>(109~1012),输入偏置电流IIB为几个PA~几十个PA。2、构成:利用FET输入阻抗高、BJT电压增益高的优点,相结合而构成差分输入级电路3、应用:生物医学电信号测量和精密放大电路、有源滤波器、取样---保持放大器,对数和反对数放大器和模数、数模转换器等。二、高精密、低漂移型:2、构成:采用超BJT管、低噪声差分式输入级和减小温漂的自动控温电路及低温度系数的精密电阻组成电路。3、应用:用于毫伏量级或更低的微弱信号的精密检测、精密模拟计算、高精度稳压电源及自动控制仪表中。三、高速型:1、特点:转换速率SR>30V/us最高可达几百伏/us,单位增益带宽BWG>10MHZ。2、构成:尽量采用NPN型管,采用FET和BJT相兼容的BiFET或用全MosFET结构。3、应用:应用于快速A/D和D/A转换器、有源滤波器、高速取样---保持电路、锁相环、精密比较器和视频放大器中。四、低功耗型:1、特点:电源电压15V时,Pmax6mW,或低电源电压(~4V)时,具有低的静态功耗和保持良好的电气性能2、结构:采用外接偏置电阻和用有源负载代替高阻值的电阻电路。3、应用:对能源有严格限制的遥测、遥感、生物医学和空间技术研究设备中。五、高压型:1、特点:具有高输出电压或大的输出功率。2、结构:利用BJT的cb结和单管的半接方式来提高耐压,或用FET的输入级。镁俩项坎藤辗极池遥个讳路亚篆则叙奋幕夹万蕉天孙粘皋寥岭畦页好蟹吼国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-第5章集成运放电路国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-(ⅰ)开环电压增益103~107(60~140dB)(ⅱ)输入失调电压当输入电压ui=0时,u0≠0(ⅲ)输入失调电流IOS=|IB1-IB2|(ⅳ)输入偏置电流(IB1+IB2)/2(ⅴ)最大差模输入电压一般为5V;F007型的则为30V(ⅵ)静态功耗一般为几十到几百毫瓦F007型集成电路的主要参数参数符号和数值参数符号和数值开环电压增益Ao=2×105最大输出电压UP-P=±14V共模输入电阻ri=1M最大差模输入电压±30V输出电阻ro=±13V共模抑制比KCMR=90dB输入失调电压Uos=1mV静态功耗Pco=50mW输入失调电压温漂△Uos/△T电源电压±15V=/℃基极输入电流IiB==20nA溪贬褥涣涣钎稗啤渺展琅榔叉连鼓暴烛柏细瞧开旦感纬筛英弧琅溯润景傣国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-第5章集成运放电路国家十一五规划教材-李春茂主编-电子技术-+-+u-u+uoAo+-+u-u+uo∞,运算放大器的电