模拟电子技术基础 知识点总结.doc

模拟电子技术基础_知识点总结。蕿袇腿导电能力介于导体和绝缘体之间。芅膃袄特性:光敏、热敏和掺杂特性。芁衿肁本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。莅薃聿空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位,使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。蝿蚈蕿在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。。体现的是半导体的掺杂特性。薅膁蒁P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。衿膆羈N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。薄薂莅杂质半导体的特性蚁艿膄载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。蚄羃薀体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。聿羈蒇在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。,形成一个特殊的薄层(PN结)。袄螅羂PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。芈螀袇PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。羄袁袆正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,-,-。羀薈肃反偏PN结(P-,N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。肄节肀PN结的伏安(曲线)方程:,P区引出正电极,N区引出负电极。膄肄腿单向导电性:正向导通,反向截止。袂腿罿正向导通压降:~,~。芃芁莆死区电压:,。芀袈袂分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:莃蚂薁若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);肂蚇荿若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。螇肃肇方法1:图解分析法蒀蚀羃该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。螇蒄虿膂葿袈方法2:等效电路法袇袅薃直流等效电路法(低频大信号模型)虿芇肄羇羁肂微变等效电路法(低频小信号模型)莁羆芈交流动态电阻:,反向电流突然增大的现象称为反向击穿。***螃膀反向击穿的主要原因是有价电子碰撞电离而发生的“雪崩击穿”。薁螈蚇稳压二极管的特性:常工作时处在PN结的反向击穿区。芆膄肄稳压管的参数:稳定电压、稳定电流、额定功耗、动态电阻、温度系数。罿薇袃稳压管的应用:限幅电路,稳压电路。、类型及特点蒆肃蚁类型:分为NPN和PNP两种。袀膈薆形成两个结:发射结和集电结;三个区域:发射区、集电区和基区。薆薄薅结构特点:莈羆螂基区很薄,且掺杂浓度最低;蚆羄蝿发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;肀罿艿集电区结面积大,掺杂浓度较高。,具有电流放大作用袆蒂膂电流放大的外部条件:芀蒇蚈发射结正向偏置,集电结反向偏置。。羅袃肅所谓的放大:实质上是一种能量控制作用,通过晶体管这种有源元件对直流电源的能量进行控制,使负载从电源中获得的输出信号的能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。放大的特征是功率放大。,饱和区,截止区莀艿肈判断晶体管处于哪一个工作区的方法。肅莁螆放大区的电流分配关系。肂肈蚂膅螂莈温度对晶体管特性及参数的影响:蕿袇薇温度升高,输入特性曲线向左移动。螇蚄薆温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。螃莁蚃袇肅螁晶体管的主要参数膁肀羇电流放大倍数:交流和直流袇蒆芇极限参数:最大集电极耗散功率、最大集电极电流、(处于放大区);肆羄羇确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路;肃蚁薂确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。膆莅节理解静态工作点的必要性!