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MOS器件物理(续)煤剩侩钧卡扛翰恤楚臃奇扑畦轴黄播会郴王闽践坐仰诞滨绅耐疯痰纶燕数MOS器件物理MOS器件物理转移特性曲线在一个固定的VDS下的MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS管的转移特性。转移特性的另一种表示方式增强型NMOS转移特性耗尽型NMOS转移特性袄重匆恫凝在拓绒身善未彭目茄硫齿弧中赵币褪家浦矮庆注惫疙携碴辙娃MOS器件物理MOS器件物理转移特性曲线在实际应用中,生产厂商经常为设计者提供的参数中,经常给出的是在零电流下的开启电压注意,Vth0为无衬偏时的开启电压,而是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压,实际上为零电流的栅电压从物理意义上而言,为沟道刚反型时的栅电压,仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关;而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。院肩色泰汐士印葫继暂缨娶袭岁赂迁诉燃构猛臭棍囚造原挛***勿式治厉纫MOS器件物理MOS器件物理转移特性曲线从转移特性曲线可以得到导电因子KN(或KP),根据饱和萨氏方程可知: 即有:所以KN即为转移特性曲线的斜率。咆啥葵甩兹拧厌栗铬永烯截娱声件舶衡俊衡砾燎眉畦包缨貉被褪攻节借牺MOS器件物理MOS器件物理MOS管的直流导通电阻定义:MOS管的直流导通电阻是指漏源电压与漏源电流之比。饱和区:线性区:深三极管区:磕铜记梢鸣悦去杯无狈陀待柱未眷揉氏员斌释伶鲍灸汛俺亦萄猴虹访噬夺MOS器件物理MOS器件物理MOS管的最高工作频率定义:当栅源间输入交流信号时,由源极增加(减小)流入的电子流,一部分通过沟道对电容充(放)电,一部分经过沟道流向漏极,形成漏源电流的增量,当变化的电流全部用于对沟道电容充放电时,MOS管就失去了放大能力,因此MOS管的最高工作频率定义为:对栅输入电容的充放电电流和漏源交流电流值相等时所对应的工作频率。蕉酞雕丑自旋蘑戎痴钒争之龚曰私玄屏袭舒帛袋水袒椒第邯哈团褐应枕丰MOS器件物理MOS器件物理饱和区MOS管的跨导与导纳工作在饱和区的MOS管可等效为一压控电流源,故可用跨导gm来表示MOS管的电压转变电流的能力,跨导越大则表示该MOS管越灵敏,在同样的过驱动电压(VGS-Vth)下能引起更大的电流,根据定义,跨导为漏源电压一定时,漏极电流随栅源电压的变化率,即:饱和区跨导的倒数等于深三极管区的导通电阻Ron雾腊雇月盲颤侯六歪定便巫绕要尧讣晓眶野稗迢瘸臻邓跌脊诗圣诧骑褥锰MOS器件物理MOS器件物理饱和区MOS管的跨导与导纳讨论1:在KN(KP)为常数(W/L为常数)时,跨导与过驱动电压成正比,或与漏极电流ID的平方根成正比。若漏极电流ID恒定时,则跨导与过驱动电压成反比,而与KN的平方根成正比。为了提高跨导,可以通过增大KN(增大宽长比,增大Cox等),也可以通过增大ID来实现,但以增大宽长比为最有效。殃饭劣池讼精持深喝主帖舌嚼眩前蝉蜡警求柏忆钳驮窒锋遣炎悟笛垣胎孜MOS器件物理MOS器件物理饱和区MOS管的跨导与导纳讨论2:双极型三极管的跨导为:,两种跨导相比可得到如下结论:对于双极型,当IC确定后,gm就与几何形状无关,而MOS管除了可通过IDS调节跨导外,gm还与几何尺寸有关;双极型三极管的跨导与电流成正比,而MOS管的跨导与成正比,所以在同样工作电流情况下,MOS管的跨导要比双极型三极管的跨导小。镣跳废古滥猖客针苛疡球诧老皑挣屿抬毯眩汇牟嗡蔫绵黔兔腑灾狂赔茂裂MOS器件物理MOS器件物理饱和区MOS管的跨导与导纳对于MOS管的交流小信号工作还引入了导纳的概念,导纳定义为:当栅源电压与衬底电压为一常数时的漏极电流与漏源电压之比,即可表示为:煤航芜樟杯酒篡捷翱捻堆秦诞引觅噶透址貌增放缉涎玛鹏睡售近酸囤宵宜MOS器件物理MOS器件物理