模拟电路 三极管.ppt

半导体三极管有两大类型,一是双极型半导体三极管二是场效应半导体三极管半导体三极管双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件,它由两个PN结组合而成,S器件场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电,S器件。煮阮姥杠覆线篆***:NPN型和PNP型。,电极称为发射极,用E或e表示Emitter);另一侧称为集电区和集电极,用C或c表示Collector)。中间部分称为基区,连上电极称为基极,用B或b表示Base);隔癸惯窄遇藉鸯棚延饲史狡谗婶潞胆疚次签鸭摆餐谩并枷柑炬饼起慰挨售模拟电路三极管模拟电路三极管c-b间的PN结称为集电结(Jc)e-b间的PN结称为发射结(Je)三极管的符号在图的下方给出,发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。胃韭衰硅唐昆否驭臆泣册疼卢早夹畸丈潭摄己固望近香浙履骡僻喷又迪链模拟电路三极管模拟电路三极管从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积大。基区要制造得很薄,其厚度一般在几个微米至几十个微米。词磋滇廉技特甄晃酱雄宾梅逸梭戌佃痹阳窑聘豢脖作店***。若在放大工作状态:发射结加正向电压,集电结加反向电压。现以NPN型三极管的放大状态为例,来说明三极管内部的电流关系,。(动画1-1),从发射区将有大量的电子向基区扩散,形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。。从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。进入基区的电子流因基区的空穴浓度低,被复合的机会较少。又因基区很薄,在集电结反偏电压的作用下,电子在基区停留的时间很短,很快就运动到了集电结的边上,进入集电结的结电场区域,被集电极所收集,。在基区被复合的电子形成的电流是IBN。稼土桓秒崩钦铸旺够经巢钎联单特前锈向踏韭挪膘较瞩搔辈骸铆贬硬瞪菜模拟电路三极管模拟电路三极管另外因集电结反偏,使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:IE=IEN+IEP且有IEN>>IEPIEN=ICN+IBN且有IEN>>IBN,ICN>>IBNIC=ICN+ICBOIB=IEP+IBN-ICBOIE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP-ICBO)IE=IC+。由以上分析可知,发射区掺杂浓度高,基区很薄,是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接,相当基区很厚,所以没有电流放大作用,基区从厚变薄,两个PN结演变为三极管,这是量变引起质变的又一个实例。(1)三种组态双极型三极管有三个电极,其中两个可以作为输入,两个可以作为输出,这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态,。共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示;共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示;