半导体工艺原理---集成电路制造工艺介绍 ppt课件.ppt

Chapter2IntroductionofICFabrication集成电路制造工艺介绍*ppt课件一、模拟集成电路主要工艺类型:模拟IC工艺双极CMOSBiCMOSRF、高精度、高压等应用领域低功耗模拟IC、低电流运放等A/D、D/A、RF混合信号芯片等模拟集成电路工艺分类*ppt课件双极工艺●标准双极工艺(很少用于新产品开发)特点:速度快、精度高、承受耐压高、工艺流程简单,缺点是缺乏高性能的纵向PNP管●互补双极工艺(应用最广泛的模拟IC工艺)特点:高性能互补的纵向NPN和PNP管,结合SOI等技术能极大提高模拟IC性能●SiGe平面双极工艺(RFIC的优选工艺平台)特点:将SiGeHBT的优异性能引入到平面双极工艺中,目前ft已超过350GHZ,可与***化镓器件相媲美双极工艺主要分类*ppt课件CMOS●标准CMOS工艺(数字电路的主流工艺技术)特点:互补的NMOS、PMOS,工艺流程简单,集成度高●模拟CMOS工艺(应用最广泛的模拟IC工艺)特点:在标准CMOS的基础上集成高品质的无源器件,此外对阈值电压精度和耐压的要求更高●RFCMOS(RFIC)特点:依靠缩小光刻尺寸提高MOS晶体管的速度,集成模拟IC所必需的高品质无源器件CMOS工艺主要分类*ppt课件BiCMOS●BiCMOS工艺(数模混合信号芯片的理想工艺平台)特点:将双极晶体管的高速高驱动与CMOS的低功耗高集成度优势结合●SiGeBiCMOS工艺(RF混合信号芯片优选的解决方案)特点:在BiCMOS优势的基础上再引入SiGeHBT的超高速、低噪声,是模拟IC工艺的重要发展方向之一●BCD(智能功率集成芯片)特点:在BiCMOS优势的基础上再集成DMOS等功率器件,是智能功率芯片的理想工艺平台BiCMOS工艺主要分类*ppt课件一)双极型工艺1、元器件结构电阻:外延层电阻剖面图基区电阻剖面图*ppt课件基区沟道电阻剖面图发射区电阻剖面图*ppt课件电容PN结电容剖面图MOS电容剖面图*ppt课件二极管CB结二极管剖面图EB结二极管剖面图*ppt课件次表面齐纳二极管剖面图表面齐纳二极管剖面*ppt课件