电子技术基础A(模拟部分)6:复合管电路参数具有对称性有源器件代替无源元件复合结构电路+P+PPP+P+P+N+PPNNNN+N++ISOP+ISOP+ISOP+ISOP+P+N+P+P+N+P+N+N+PSubstrate<111>P+Isolation=20mAl/Si(1%)=11kAN+Emitter=+BuriedLayer=+BuriedLayer==17mPBase=+PWellP-ChannelP+N+P+P+N+N+P+Tgox=900A2m10mImetal=2mN-ChannelSi3N4SO2==(IC)中单个元器件精度不很高,参数随温度漂移较大,但在同一芯片上用相同工艺制造出的元器件性能一致性好,芯片上同一类元器件温度特性也基本一致。如果做成对称电路或补偿回路,则电路的热稳定性相当好。,阻值有一定限制,一般几十W到几十kW之间,太高太低都会因占芯片面积过大而不易制造。常用占用面积小且性能好的MOS、BJT管等有源器件构成电流源替代大电阻。大电容也不易制造,常用PN结电容或SiO2绝缘层构成小电容,一般<100pF,故各级电路间大都采用直接耦合。电感则一般必须外接,有时通过巧妙设计电路结构来代替大电容和电感元件。,因而集成电路中经常采用复合管(达林顿)、)-共射(CE)、共射(CE)-共基(CB)、)-共基(CB)等复合结构电路。,或将基极与集电极短路,再与发射极构成正向压降较低的二极管。常用来作恒压电路、偏置电路和温度补偿电路,这是因为这种二极管具有与三极管发射结相同的温度系数。
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