模拟电子技术基础知识点总结.docx

模拟电子技术基础知识点总结.docx模拟电子技术复****资料总结第一章 ---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅Si、锗Ge)。---光敏、热敏和掺杂特性。 ----纯净的具有单晶体结构的半导体。 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 ----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子) 。*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴) 。---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。PN结*PN结的接触电位差 ---硅材料约为 ~,锗材料约为 ~。PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。------正向导通,反向截止。二极管伏安特性----同PN结。*正向导通压降 ------~,~。*死区电压------,。------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低 :V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q。等效电路法直流等效电路法*总的解题手段 ----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低 :若V阳 >V阴(正偏 ),二极管导通 (短路);若V阳 <V阴(反偏 ),二极管截止 (开路)。---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章§2-1 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、---分为NPN和PNP两种。---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理三极管的三种基本组态三极管内各极电流的分配共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子 称为穿透电流。共射电路的特性曲线输入特性曲线---同二极管。输出特性曲线(饱和管压降,用 UCES表示放大区---发射结正偏,集电结反偏。截止区---发射结反偏,集电结反偏。温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。温度升高 ICBO、ICEO 、IC以及β均增加。三. 低频小信号等效模型(简化)hie---输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。----能放大、不失真、能传输。---直流电流通的回路。画法---电容视为开路。作用---确定静态工作点直流负载线---=ICRC+UCE确定的直线。电路参数对静态工作点的影响1)改变Rb:Q点将沿直流负载线上下移动。2)改变Rc:Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3):直流负载线平移, Q点发生移动。交流通路与动态分析概念---交流电流流通的回路画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。作用---分析信号被放大的过程。*交流负载线---’’=UCEQ+ICQRL’的直线。静态工作点与非线性失真(1)截止失真产生原因---Q点设置过低失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。消除方法---减小Rb,提高Q。(2) 饱和失真产生原因---Q点设置过高失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。消除方法---增大Rb、减小Rc、。放大器的动态范围1)Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。2)范围*当(UCEQ-UCES)>(VCC’UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。-UCEQ)时,受截止失真限制,*当(UCEQ-UCES)<(VCC’UOPP=2UOMAX=2(UCEQ-UCES)。-UCEQ)时,受饱和失真限制,当(UCEQ-UCES)=(VCC’-UCEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足 RB>βRc。 Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容