开关电源技术发展的十个关注点.docx

开关电源技术发展的十个关注点96874.docx上枇纪60年代,开关电源的问枇,使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源。40多年来,开关电源技术有了飞迅发展和变化,经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。功率半导体器件从双极型器件(BPT、SCR、GT0)发展为M0S型器件(、IGCT等),使电力电了系统有可能实现高频化,并大幅度降低导通损耗,电路也更为简单。口上世纪80年代开始始,高频化和软开关技术的开发研究,使功率变换器性能更好、重量更轻、尺寸更小。高频化和软开关技术是过去20年国际电力电了界研究的热点Z—o上世纪90年代小期,集成电力电子系统和集成电力电子模块(IPEM)技术开始发展,它是当今国际电力电了界亟待解决的新问题Z-o关注点一:功率半导体器件性能1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它釆用“超级结”(SuperJunction)结构,故又称超结功率MOSFETo工作电压600V〜800V,通态电阻儿乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体器件。IGBT刚出现时,电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内,耐压水平限于1200V〜1700V,经过长时间的探索研究和改进,现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A,高压IGBT单片耐压已达到6500V,一般IGBT的工作频率上限为20kHz〜40kHz,基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT,可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。IGBT的技术进展实际上是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折小。随着工艺和结构形式的不同,IGBT在20年历史发展进程小,有以下几种类型:穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600°C)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。可以预见,碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。关注点二:开关电源功率密度提高开关电源的功率密度,使Z小型化、轻量化,是人们不断努力追求的目标。电源的高频化是国际电力电了界研究的热点Z-o电源的小型化、减轻重量对便携式电子设备(如移动电话,数字相机等)尤为重要。使开关电源小型化的具体办法有:一是高频化。为了实现电源高功率密度,必须提高PWM变换器的工作频率、从而减小电路屮储能元件的休积重量。二是应用压电变压器。应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器利用压电陶瓷材料特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量,其等效电路如同一个串并联谐振电路,是功率变换领域的研究热点之一。三是采用新型电容器。为了减小电力电子设备的休积和重量,必须设法改进屯容器的性能,提高能量密度,并研究开发适合于屯力屯子及电源系统用的新型电容器,要求电容量大、等效串联电阻ESR小、体积小等。关注点三:高频磁与同步整流技术电源系统中应用大量磁元件,高频磁元件的材料、结构和性能都不同于工频磁兀件,有许多问题需要研究。对高频磁兀件所用磁性材料有如下要求:损耗小,散热性能好,磁性