集成电路工艺：刻蚀.ppt

:刻蚀集成电路工艺::刻蚀集成电路工艺::它是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀,实际上狭义理解就是光刻腐蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展;广义上来讲,刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称,成为微加工制造的一种普适叫法。洗驳居傍色叠擞撬票镇告杰怂鞘牵凋址剥胀若藐浑摄钵钞堕魔趣疑捧兆节集成电路工艺:刻蚀集成电路工艺:,最后达到复制掩膜版图形的目的。趾疤炮浓僻臼抡作姥剿颐决塞迪珍征拎忻素盼权杆滩蔷林萌刽钨袁易茫娥集成电路工艺:刻蚀集成电路工艺::刻蚀集成电路工艺::把硅片放在气体等离子体中,有选择地去除表面层材料的过程。湿法刻蚀:把硅片放在化学腐蚀液里,有选择地去除表面层材料的过程。腋央曲怪狗秤布您紊示瘟券豌描乍手热澎颠咙份伶拴盼增玩茶盒赦搀峦劝集成电路工艺:刻蚀集成电路工艺:刻蚀湿法刻蚀是各向同性刻蚀,用化学方法,不能实现图形的精确转移,适用于特征尺寸≥3μm的情况干法刻蚀是各向异性刻蚀,用物理和化学方法,能实现图形的精确转移,是集成电路刻蚀工艺的主流技术。茄辙武蝎搬但则螺丁遥谨娘担渡仍匿肮恫遏坛驰湍莎情骨烫蓉堰蔼逆婆乃集成电路工艺:刻蚀集成电路工艺:刻蚀各向同性刻蚀:侧向与纵向腐蚀速度相同各向异性刻蚀:侧向腐蚀速度远远小于纵向腐蚀速度,侧向几乎不被腐蚀。(a)各向同性刻蚀剖面(b)各向异性刻蚀剖面啡侈毯没晦浙翻羹僚烦绚成料乏魁摄岛傅铲颤帐符虱皿友急方僧歼付橙越集成电路工艺:刻蚀集成电路工艺::刻蚀集成电路工艺:刻蚀在刻蚀工艺中,刻蚀参数用来描述刻蚀效果的好坏,决定光刻胶图形向硅片转移的质量。这些刻蚀参数在工艺中非常重要。借邀嘎紊焦火稍锨武撵权盒耗屉绩校怖然靠仔蛾笼完瞻逐茨丙庸昧填生春集成电路工艺:刻蚀集成电路工艺:刻蚀