内存的原理和时序(sdram、ddr、ddr-ⅱ、rambus dram).pdf

内存的原理和时序(sdram、ddr、ddr-ⅱ、rambus_dram)内存的原理和时序(SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、RambusDRAM)、行有效、.1数据输出(读)(写)、.(DQS)(DLL)第三章DDR-Ⅱ-Ⅱ-Ⅱ(OCD,Off-ChipDriver)(ODT,On-DieTermination)、-Ⅱ-Ⅱ-Ⅱ--(其余的两个是主板与CPU),内存是决定系统性能的关键设备之一,它就像一个临时的仓库,负责数据的中转、暂存……不过,虽然内存对系统性能的至关重要,但长期以来,DIYer并不重视内存,只是将它看作是一种买主板和CPU时顺带买的“附件”,那时最多也就注意一下内存的速度。这种现象截止于1998年440BX主板上市后,PC66/100的内存标准开始进入普通DIYer的视野,因为这与选购有着直接的联系。一时间,有关内存时序参数的介绍文章大量出现(其中最为著名的恐怕就是CL参数)。自那以后,DIYer才发现,原来内存也有这么多的学问。接下来,始于2000年底/2001年初的VIA芯片组4路交错(4-WayInterleave)内存控制和部分芯片组有关内存容量限制的研究,则是深入了解内存的一个新开端。从那时起,很多关于内存方面的深入性文章接踵而至,如果说那时因此而掀起了一股内存热并不夸张。大量的内存文章让更多的用户了解了内存,以及更深一层的知识,这对于DIY当然是一件好事情。然而,令人遗憾的是这些所谓的内存高深技术文章有不少都是错的(包括后来的DDR与RDRAM内存的介绍),有的甚至是很低级的错误。在这近两年的时间里,国内媒体上优秀的内存技术文章可谓是寥若晨星,有些媒体还编译国外DIY网站的大篇内存文章,但可惜的是,外国网站也不见得都是对的(这一点,似乎国内很多作者与媒体似乎都忽视了)。就这样,虽然打开了一个新的知识领域,可“普及”的效果并不那么好,很多媒体的铁杆读者高兴地被带入内存深层世界,但也因此被引向了新的误区。不过,从这期间(2001年初至今)各媒体读者对这类文章的反映来看,喜欢内存技术的玩家大有人在且越来越多,这是各媒体“培养”的成果。这些用户已经不满足如何正确的使用内存,他们更渴望深入的了解这方面原来非常贫乏的知识,这些知识可能暂时不会对他们在使用内存过程中有什么帮助,但会大大满足他们的求知欲。我们这次的专题不再以内存使用为中心,更多的是纯技术性介绍,并对目前现存的主要内存技术误区进行重点纠正。在最后要强调的是,本专题以技术为主,由于篇幅的原因,不可能从太浅的方面入手,所以仍需要有一定的技术基础作保证,而对内存感兴趣的读者则绝不容错过,这也许是您最好的纠正错误认识的机会!,是阅读本专题的第一条件。因为即使是RDRAM,在很多方面也是与SDRAM相似的,而至