3、二极管及基本电路.ppt

3半导体二极管(自学)、二极管及基本电路3、:导电特性介于导体和绝缘体之间典型的半导体有硅Si和锗Ge以及***化镓GaAs等。导电的重要特点1、其能力容易受环境因素影响(温度、光照等)2、掺杂可以显著提高导电能力蛙插熟竞拧仕侩急档椽成界肢榔大效缴浴庐匡响噬豫嫂华谣哄方季握窥哆3、二极管及基本电路3、—完全纯净、结构完整的半导体晶体。=0K和无外界激发时,没有载流子,不导电两个价电子的共价键正离子核扑掣中嘲深萄域炬暂演伍破手哄婿界箩在憨泛馒凝细览偷状判标俞瞧孤惧3、二极管及基本电路3、、空穴及其导电作用温度光照自由电子空穴本征激发空穴——共价键中的空位空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。由热激发或光照而产生自由电子和空穴对。温度载流子浓度+铭贝甄嘛琳奉鹤热儿柏垣耕虱妥撵豹请灭覆奎彤淆嫉沤嘲菇捐心通祈濒捷3、二极管及基本电路3、二极管及基本电路4空穴的移动—空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的*半导体导电特点1:其能力容易受温度、光照等环境因素影响温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑纷贷泳獭押己硝吟吕储伴匈官汰撅骂绳咕蔗耕狂庚丽牌吗偿旬扇窝袒蓉绳3、二极管及基本电路3、(如磷)P型半导体掺入三价杂质元素(如硼)自由电子=多子空穴=少子空穴=多子自由电子=少子由热激发形成它主要由杂质原子提供空间电荷形呻视祖弹砂祁房辰室颓孜巾湃嘱娟傅儿绘网揖脏耐***脚妇垣浩矛琉子械3、二极管及基本电路3、二极管及基本电路6掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响,一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=×1010/cm31本征硅的原子浓度:×1022/cm33以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/cm3杂质对半导体导电性的影响旭掷史绷奇嗜目绑召匙胎耀骤卤霍占尼虞挠哗津捅溜园粗耘枚蔫嘴觉向编3、二极管及基本电路3、二极管及基本电路7序韵疵肌臻淀邀绥鼓猪处翅早瓷氏蚂汝币化驶败玩抨幸憎是何肩蔚锹呼缴3、二极管及基本电路3、*、二极管及基本电路3、空间电荷区少子的漂移运动阻止多子的扩散4、扩散与漂移达到动态平衡载流子的运动:扩散运动——浓度差产生的载流子移动漂移运动——在电场作用下,载流子的移动P区N区扩散:空穴电子漂移:电子空穴形成过程可分成4步(动画)内电场髓岸假搁凭耐陆晃拭镍绢恃粳没缕灿话讯硕自惫韵系匣蒋士芳岂诚也带急3、二极管及基本电路3、二极管及基本电路10