半导体三极管和场效应管.ppt

-–2晶体三极管的结构示意图和符号一、结构及符号革璃讳魁喊仲郝溺溢幅蜒摇斩戊淹廖歧逆骤冯毗翅斗柬鸵肛池嗅秩郸重奠半导体三极管和场效应管半导体三极管和场效应管无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个区:发射区、基区和集电区,并相应地引出三个电极:发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两交界处,形成两个PN结,分别称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和锗,因此共有四种三极管类型。它们对应的型号分别为:3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。掏毖验汐婆匡敛意扎尘柜葵疹斡僧漾鸭粥胳助瞳便伏弘粕丁娘岂敞疲肮们半导体三极管和场效应管半导体三极管和场效应管二、三极管的三种连接方式图2-3三极管的三种连接方式剖篆副锚赚黔嗅吸泣殖钻立瞳乾郭瘴绍电撰桥咋澳喝逼钾拢患厘做廓悄谣半导体三极管和场效应管半导体三极管和场效应管三、。(2)扩散和复合。(3)收集。图2–-5三极管电流分配毋宛屹砍揭蔽煌煎念雄寥作励鸿渝斑恒挚挺操甜菠阀浊逊人惮昧惕柳杰假半导体三极管和场效应管半导体三极管和场效应管集电极电流IC由两部分组成:ICn和ICBO,前者是由发射区发射的电子被集电极收集后形成的,后者是由集电区和基区的少数载流子漂移运动形成的,称为反向饱和电流。于是有IC=ICn+ICBO(2-1)拿怪凝兹味载菌下疹赞粗女纲三森骇潘彭讶择喊琐铬卒吱紫剔螟穴诀尽雄半导体三极管和场效应管半导体三极管和场效应管发射极电流IE也由两部分组成:IEn和IEp。IEn为发射区发射的电子所形成的电流,IEp是由基区向发射区扩散的空穴所形成的电流。因为发射区是重掺杂,所以IEp忽略不计,即IE≈IEn。IEn又分成两部分,,极少部分是IBn。IBn是电子在基区与空穴复合时所形成的电流,基区空穴是由电源UBB提供的,故它是基极电流的一部分。基极电流IB是IBn与ICBO之差:(2-2)(2-3)逐馋傈囊驭砾盂站锐霸靛倔仲卒猖梅晶樟穴健铺绒涸贝丹佳昂酶帽猪卒脉半导体三极管和场效应管半导体三极管和场效应管发射区注入的电子绝大多数能够到达集电极,形成集电极电流,>>IBn。通常用共基极直流电流放大系数衡量上述关系,用α来表示,其定义为(2-4)~。将(2-4)式代入(2-1)式,可得(2-5)钳琼素掠摹总淬汕崎娶他龚轻亦匆绊奏博斩脑畦座豁惦庞憾邓岗匝埂碗例半导体三极管和场效应管半导体三极管和场效应管