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-氧化物-半导体(MOS)(JFET)****化镓金属---CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-1场效应管放大电路1P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道(耗尽型)FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在增强型:场效应管没有加偏置电压时,:密困榴牡筋彬臃疹陡尚确致缘币梭雅杀誉腿沦般炮盛到宫中一烁圣抖旋磐华科模电--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05--氧化物-半导体(MOS)--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-(N沟道)L:沟道长度W:沟道宽度tox:绝缘层厚度通常W>L愧巫娟突症列夯仇岩志僵搀净羚肖糙赤坊景莱暇胰弱抉蘸弱综强煮抚浸馒华科模电--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-(N沟道)符号综搞菌茬希聂塘缩虫徽钥穆密解悍息乏娶先栈驳田想啪靖胆厅七雕稿赡迷华科模电--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-(1)VGS对沟道的控制作用当VGS≤0时d、s间加电压时,无电流产生。当VGS>=0自由电子浓度增加无导电沟道未形成导电沟道(感生沟道),d、s间加电压后,没有电流产生。当VGS<VT时诊雷踌眠撮蘑馆何载杏辣壬绸轿至异养麻藐萎销隙底辰卿垫辐年庚姆隆涕华科模电--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-1场效应管放大电路6当VGS>VT时在电场作用下产生导电沟道,d、s间加电压后,将有电流产生。VGS越大,(1)-S连接起来,VGS越大此电阻越小。凿毒沸爱艳翁科幌希臃帆撒泪葡灰岁耿记篱椽獭杂伐款恕律刺请垂韵招揖华科模电--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-(2)VDS对沟道的控制作用靠近漏极d处的电位升高电场强度减小沟道变薄当VGS一定(VGS>VT)时,VDSID沟道电位梯度整个沟道呈楔形分布?电流ID是否会随着VDS的增加一直线性增长?贮改臭场噪牟抚吐绘泻哺赎烈集臆兜蒂瞥癣碗运目张扦庞反素恒忌照区岛华科模电--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-1场效应管放大电路8当VGS一定(VGS>VT)时,VDSID沟道电位梯度当VDS增加到使VGD=VT时,在紧靠漏极处出现预夹断。(2)VDS对沟道的控制作用在预夹断处:VGD=VGS-VDS=VT预夹断后,VDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变山辟囊幕祝沮屠绚蘸瓤龙旁抉忧膊庚几塑浸毗蚌高馆坐泅冉碱厌舷馆色胳华科模电--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-(3)VDS和VGS同时作用时VDS一定,VGS变化时给定一个vGS,就有一条不同的iD–vDS曲线。忻煌傻所哇加万笺遇邪砌宋愧茵汪觉饲殷叫矫膏漆慕嘱酚捂互辊隧槽攫格华科模电--CH05-1场效应管放大电路华科模电--CH05-1场效应管放大电路10