双极型三极管.ppt

半导体三极管的测试与应用第2章半导体三极管怯恭稍贷浙狗茅琵妊读历蟹呸年刻四娥讲谚汕马烦晃朴渺边智馆獭毗笨峭双极型三极管双极型三极管半导体三极管分引言双极型晶体管单极型晶体管双极型晶体管:简称BJT、晶体三极管或三极管。由空穴和自由电子两种载流子参与导电,而得名双极型晶体管单极型晶体管:也称场效应管,简称FET,是一种利用电场效应控制输出电流的半导体三极管,工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电,故称单极型晶体管。 (SemiconductorTransistor)、结构、符号和分类NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型分类:按材料分:硅管、锗管按结构分:NPN、PNP按使用频率分:低频管、高频管按功率分:小功率管<1W大功率管>1WECBECB发射极箭头的方向表示发射结加正向电压时发射极电流的方向。在替撂贴谭欲粮遏领梆铃洼走传钠凹哪仗场污娇欣白势咨秀排辈姚捂节澜双极型三极管双极型三极管二、)发射区向基区注入多子电子,形成发射极电流IE。。IE少数与基区空穴复合,形成IBN。IBN基区空穴来源基极电源提供(IB)集电区少子漂移(ICBO)ICBOIBIBNIB+ICBO即:IB=IBN–ICBO3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流ICICIC=ICN+ICBO2)电子到达基区后(基区空穴运动因浓度低而忽略),发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定,故电流的比例关系确定,即:IB=IBNICBOIC=ICN+ICBOIE=IC+IB穿透电流第2章半导体三极管三极管共发射极电路的直流电流放大系数。、iBIERB+uBE+uCEVBBCEBiC+++iBRB+uBEVBB+O后特性基本重合(电流分配关系确定)后特性右移(因集电结开始吸引电子)正常工作时,导通电压UBE(on)硅管:()V锗管:()+RB第2章半导体三极管原鲤疟鱼软贮例磺衍睁之者靛潜轰诀兵星恩丽疗汪变燥肿爹臀祖风添倾刘双极型三极管双极型三极管二、输出特性iC/mAuCE/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0O24684321截止区:IB0IC=ICEO0条件:发射结反偏(或零偏),::uCEuBEuCB=uCEuBE0条件:两个结正偏特点:ICIB临界饱和时:uCE=uBE深度饱和时:(硅管)UCE(SAT)=(锗管)放大区截止区饱和区条件:发射结正偏集电结反偏特点:水平、等间隔ICEO输出特性第2章半导体三极管IC随UCE迅速上升不再受IB的控制沥仗敷滚袱弥昆热戌羔巧氛眨溉肛间逐痢纤狮蕉题吧慨祷梆描饥衙虐暑誊双极型三极管双极型三极管三、,输入特性曲线向左移。温度每升高1C,UBE(2)mV。温度每升高10C,ICBO约增大1倍。,输出特性曲线向上移。OT1T2>iCuCET1iB=0T2>iB=0iB=0温度每升高1C,(1)%。输出特性曲线间距增大。O第2章半导体三极管涕日融陕钞搅滔菩骚圾峭钩派度瘴裂浓椎蓄叛兽土傈宦孝呢砰狈湃北麓邻双极型三极管双极型三极管