第8章干刻工艺.doc

第八章 ,所谓的刻蚀技术,是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上,形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除,可分为湿式刻蚀(wetetching)和干式刻蚀(dryetching)两种技术。第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(selectivity)。然而,由于化学反应没有方向性,因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时,侧向的刻蚀将同时发生,进而造成底切(Undercut)现象,导致图案线宽失真,如下图所示。,元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术(也叫等离子体刻蚀技术),人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。在现今的半导体集成电路或LCD制造过程中,要求精确地控制各种材料尺寸至次微米大小,而且还必须具有极高的再现性,电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成的技术,因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及TFTLCDArray制造中的主要技术之一。干式刻蚀通常指利用辉光放电(glowdischarge)方式,产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆,来进行图案转印(patterntransfer)的刻蚀技术。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,广泛应用于半导体或LCD前段制程。在本章节中,将针对干刻蚀技术加以说明。(IsotropicandAnisotropicEtching)不同的蚀刻机制将对蚀刻后的轮廓(Profile)产生直接的影响。,纯粹的化学蚀刻通常没有方向选择性,上下左右刻蚀速度相同,蚀刻后将形成圆弧的轮廓,并在遮罩(Mask)下形成底切(Undercut),这种刻蚀被称为各向同性蚀刻。各向同性蚀刻通常对下层物质具有很好的选择比,但线宽定义不易控制。而各向异性蚀刻则是借助具有方向性的离子撞击,进行特定方向的蚀刻,形成垂直的轮廓。采用非等向性蚀刻,可定义出较细微的线宽。(Selectivity)在刻蚀过程中,被刻蚀物质上层的遮罩物质(如光刻胶)或下层的物质这些本来不需要被刻蚀的膜层也会同时遭到刻蚀,。。其中又可分为对遮罩物质的选择比及对待蚀刻物质下层物质的选择比。选择比要求越高越好,高选择比意味着只刻除想要刻去的那一部分材料。选择比可以表示为选择比=被刻蚀材料的速率/不需要被刻蚀材料的速率。(LoadingEffect)负载效应就是当被蚀刻材质裸露在反应电浆或溶液时,面积较大者蚀刻速率比面积较小者慢的情形。这是由于反应物质在面积较大的区域中被消耗掉的程度较为严重,导致反应物质浓度变低,而蚀刻速率却又与反应物质浓度成正比关系,大部份的等向性蚀刻都有这种现象。(selfbias)电浆是等离子体,其内部正负离子相等,而如果解离腔体电极接上RFpower,由于其电极表面所带电荷的变换,会吸引正负离子及电子的接近,但因电子与带正电的原子核质量相差甚多,使得在经过高频的变换过程后,电子与正离子逐渐分离,质量较小的电子受吸引加速较快到达电极表面,使电极附近形成带负电的鞘层电压,这就是自偏压产生的原理。这个鞘层电压与等离子体之间存在电位差,从而会吸引正离子轰击基板表面,增加刻蚀的效应。,随着制程参数和电浆状态的改变,可以区分为两种极端性质的蚀刻方式即纯物理性蚀刻与纯化学反应性蚀刻,以及物理和化学混合作用刻蚀。(Sputter)方式,它是利用辉光放电,将气体如Ar,解离成带正电的离子,再利用自偏压(selfbias)将离子加速,溅击在被蚀刻物的表面,而将被蚀刻物质原子击出。此过程乃完全利用物理上能量的转移,故谓之物理性蚀刻。利用下电极所产生的自偏压会吸引电浆中的正离子轰击基板表面,达到破坏膜层表面的刻蚀目的,这种刻蚀的好处在于它很强的刻蚀方向性,从而可以获得高的各相异性刻蚀剖面,以达到好的线宽控制目的。其特点有各相异性刻蚀低刻蚀选择比并且因轰击效应使得被刻蚀膜层表面产生损伤反应副产物多为非挥发性,(sputter),则是利用各式能量源(RF,DC,microwave等)给予气体能量,产生电浆,进而产生化学活性极强的原(分)子团,原(分)子团扩散