0005毕业设计说明书(论文)书写式样.doc

0005毕业设计说明书(论文)书写式样.doc:..目录:四号宋体居中, 11」III族氮化物材料及其器件的进展与应用 III族氮化物的基本结构和性质 12第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 32结论 136参考文献(References) 138致谢 150任号宋体加粗顶格,段前段后0行,任号宋体加粗顶格,段前段后0行标题:三号宋体、加粗、居中,多倍行距L25,段前段后0行III-V族氮化物及其高亮度蓝光亍nLED外延片的MOCVD生长和性质研究专业:学号:学牛•姓名:指导教师:五号宋体居中,,段前段后0行正文五号宋体,,段前摘要:宽禁带III—V族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器6探测器以及高频和大功率电了器件等方面冇着广泛的应川前景。自1994年LI本口亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料牛长技术以來,美、F1等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术,并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此,这项高技术仍处于高度保密状态,材料生长的关键思想及核心技术仍未公开,还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。木论文就是在这种情况下立题的,旨在研究GaN基材料生长屮的物理及化学问题,为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文得到了国家863计划、心项目的资助。国家自然科为基金以及教育部发光材料戸器件工洋研究11>空一行关键词:氮化物,MOCVD,LED,卢瑟福背散射沟道,光致发光,光透射谱StudyonMOCVDgrowthandpropertiesofIII-Vnitridesand空一行Abstract:GaNbasedIII-VnitrideshavepotentialhighbrightnessblueLE英文标题:TimesNewRoman三号加粗居中,,段前段后0行。afersbrightnessLEDs,short“Abstract和“Keywords”加粗,五号TimesNewRoman字体,顶格;内容部分五号TimesNewRoman字体,关键词之间用逗号隔开,,段前段后0行。avelengthlasers,ultravioletdetectors,hight(^(ghpowerelectronic::Nitrides,MOCVD,LED,Photoluminescence,RBS/channeling,,材料永远扮演第歩