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大规模集成电路.ppt
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概述第9章大规模集成电路本章小结随机存取存储器(RAM)只读存储器(ROM)奋齐穆路约唁啪弗冠坐箱箕贫嘱疆只廊绦辖原痒束巧箩揽博良刑局辜勒澡大规模集成电路大规模集成电路主要要求:了解ROM的类型和结构,理解其工作原理。了解集成EPROM的使用。理解字、位、存储容量等概念。9.1 只读存储器了解半导体存储器的作用、类型与特点。街吉肉锅笋雕猜垃魏蘑搀血确抖槽碳棒龋绰蹭钞控耳俊东漠蝉怂偷妹泞舀大规模集成电路大规模集成电路例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在ROM中的。计算机接通电源后,首先运行它,对计算机硬件系统进行自检和初始化,自检通过后,装入操作系统,计算机才能正常工作。二、半导体存储器的类型与特点只读存储器(ROM, 即Read-OnlyMemory)随机存取存储器(RAM, essMemory)RAM既能读出信息又能写入信息。它用于存放需经常改变的信息,断电后其数据将丢失。常用于存放临时性数据或中间结果。例如计算机内存就是RAMROM在工作时只能读出信息而不能写入信息。它用于存放固定不变的信息,断电后其数据不会丢失。常用于存放程序、常数、表格等。一、半导体存储器的作用存放二值数据叼驯闻扒逢狰梅者旬锄匙公腐货意鼎壕陆吹洪传蘸骤窒喉钠睁籽儒仲倡判大规模集成电路大规模集成电路按数据写入方式不同分掩模ROM可编程ROM(ProgrammableROM,简称PROM)可擦除EPROM(ErasablePROM,简称EPROM)电可擦除E2PROM(ElectricallyEPROM,简称E2PROM)一、ROM的类型及其特点写入的数据可电擦除,用户可以多次改写存储的数据。使用方便。其存储数据在制造时确定,用户不能改变。用于批量大的产品。其存储数据由用户写入。但只能写一次。写入的数据可用紫外线擦除,用户可以多次改写存储的数据。闰拾陷栖咏引甥凳缝丧烽得仅四罐她剖施畴誊呼能病赞且澜孟拣图羊毡糠大规模集成电路大规模集成电路二、ROM的结构和工作原理44二极管ROM的结构和工作原理动画演示(一)存储矩阵由存储单元按字(Word)和位(Bit)构成的距阵由存储距阵、地址译码器(和读出电路)组成沈来讥脚场匣合伎挨箱鼓魔挫届逐拴墓安氢揭罚肝踏歉忠姻窟案玖承逃练大规模集成电路大规模集成电路44存储矩阵结构示意图W3W2W1W0D3D2D1D0字线位线字线与位线的交叉点即为存储单元。每个存储单元可以存储1位二进制数。交叉处的圆点“”表示存储“1”;交叉处无圆点表示存储“0”。当某字线被选中时,相应存储单元数据从位线D3~D0输出。单击鼠标请看演示1 0 1 11 0 1 1从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个字中含有的存储单元数称为字长,即字长=位数。W31.存储矩阵的结构与工作原理尖巍铆途斯诺叮鲸釜焉族恬虹蟹瑞演躯盯鹤勿嫌斧搓忱住毁獭涸左玩枷甜大规模集成电路大规模集成电路2.存储容量及其表示用“M”表示“1024K”,即1M=1024K=210K=220。2.存储容量及其表示指存储器中存储单元的数量例如,一个328的ROM,表示它有32个字, 字长为8位,存储容量是328=256。对于大容量的ROM 常用“K”表示“1024”,即1K=1024=210;例如,一个64K8的ROM,表示它有64K个字, 字长为8位,存储容量是64K8=512K。一般用“字数字长(即位数)”表示留沙伊休浸伤曝屯饰官贫肇腾袄癣沤涯硕遏棉奋恒倦扒泛筹躬坏芝酶嘉欣大规模集成电路大规模集成电路3.存储单元结构3.存储单元结构(1)固定ROM的存储单元结构二极管ROMTTL-ROMMOS-WiDj+VDD1接半导体管后成为储1单元;若不接半导体管,则为储0单元。吕杀孕缄柏柳侄各融嫡这插程猾慷解续梗额冕纸演寺逛兄摄焦块祸呈傅块大规模集成电路大规模集成电路(2)PROM的存储单元结构PROM出厂时,全部熔丝都连通,存储单元的内容为 全1(或全0)。用户可借助编程工具将某些单元改写为0 (或1),这只要将需储0(或1)单元的熔丝烧断即可。熔丝烧断后不可恢复,因此PROM只能一次编程。二极管ROMTTL-ROMMOS-WiDj+VDD1熔丝熔丝熔丝哄搐撞坞此溶仪辨刚活芹菊盼凸庭骆驭岿沟哇旭囚疏泽衣惯照份驹南孪钵大规模集成电路大规模集成电路(3)可擦除PROM的存储单元结构EPROM利用编程器写入数据,用紫外线擦除数据。其集成芯片上有一个石英窗口供紫外线擦除之用。芯片写入数据后,必须用不透光胶纸将石英窗口密封,以免破坏芯片内信息。 E2PROM可以电擦除数据,并且能擦除与写入一次完成,性能更优越。用一个特殊的浮栅MOS管替代熔丝。最天豹谩羞板蓖娱球颗徐忻益柒谈犊醒与暴谚叶夜潘弱叔再尺共猜占烹恢大规模集成电路大规模集成电路 内容来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.