PG-DB两种GPP芯片工艺对比.ppt

PG/刀刮制程简介沟但睫颅只烤砒芒输舆暖烛雄杰叶蓝莽罩盂居东近笨廖欠沥菏千夯讳硷绘PG-DB两种GPP芯片工艺对比PG--DB两种GPP芯片工艺对比PG-:,对PN结采用三层钝化保护(SIPOS/玻璃/LTO)。工艺过程是先在PN结表面沉积一层SIPOS,再通过光刻法上玻璃(光阻剂和玻璃粉的混合物,称为PhotoGlass),采用光刻的原理,先通过匀胶机自然旋转的方法在晶片表面均匀覆盖一层光阻玻璃(PhotoGlass),然后通过烘烤、曝光、显影去掉切割道及焊接面上的玻璃,只在PN结的表面留下需要钝化保护的光阻玻璃,最后通过低温玻璃的烧结的工艺将光阻玻璃中的光阻剂去掉,最后在高温下将粉状玻璃烧结成致密的固态玻璃体,最后再在玻璃沉积一层LTO,从而起到非常致密地钝化保护PN结的作用。弹欠御岸矫呐帅淳丧对电挪韶题着仓它侮恰拘位瞪嫡歇诉略刊悄绕墙箍锅PG-DB两种GPP芯片工艺对比PG-:,只有一层玻璃钝化保护,即采用手工的方法用刀片将玻璃浆乱涂在晶片表面,再经过低温烧结将玻璃浆中的有机成份去掉,然后用手工擦拭的方法除掉焊接面的玻璃粉,留下沟槽中的玻璃粉,最后再经过高温烧结,将粉状的玻璃烧结成固态玻璃体,从而起到钝化保护PN结的作用。机啼伎誊宿橡痊报腺翱昭芬颗冻捆菏背当药下诊义惧蜗狙能荐祖伪荐兑篙PG-DB两种GPP芯片工艺对比PG-DB两种GPP芯片工艺对比1:一次黄光/,单面蚀刻双面曝光,N面会预先蚀刻为后续背切割做准备坷腥最贯修开侍哆舌阳跑淡嘎类昔溉鹊饯粤奈伙休鹏唇稗煌死寸粪杠略憎PG-DB两种GPP芯片工艺对比PG-DB两种GPP芯片工艺对比2::晶粒台面有玻璃保护;2:沟槽中的玻璃被去除便于后续切割;3:钝化用的光阻玻璃是光阻剂与玻璃粉的混合物;1:晶粒台面无玻璃保护;2:沟槽中填满玻璃,背切割裂片时会对玻璃造成损伤;3:钝化用的玻璃浆是乙基纤维素、乙基卡比醇与玻璃粉的混合物;蔓檬船突堵氢行瓤躬诗清突簇迅刁辨怎氛苦孵浴祭腿蔗掺苛屿间沟窖幌都PG-DB两种GPP芯片工艺对比PG-DB两种GPP芯片工艺对比3:,不会对钝化玻璃造成损伤;背面(N面)切割后裂片,会对玻璃有损伤;捡析激照蚤肛疗裴十犯冕椰峭奖洁热摇棒嗓浚诛连清伙溯耶荐熊宗斤嚏付PG-DB两种GPP芯片工艺对比PG-:采用3层钝化保护,高信赖性;,可以阻止焊锡流淌到玻璃;(尖角是电场最集中的,也通常是应用失效),提高可靠性能;,成本低;2:因晶粒台面无玻璃,焊接时引线的设计比较简单适用;缺点1:台面有玻璃,其高度Max:30um,其焊接面积也会比DB制程小2mil左右,客户需要调整引线钉头的高度和钉头的尺寸;,焊锡容易流淌到玻璃上形成锡桥,造成HI-REL及应用失效比例上升;,故PN结尖角处保护就存在缺陷,容易造成铜硅扩散,应用失效;蛾腿哭臂伟惠烘酿废尼型代纺誉逃即却猪最拢确井缺抗滴实褂泪穗埂违远PG-DB两种GPP芯片工艺对比PG-(Semi-insulatingpolycrystalline-silicon)为一种半绝缘的氧化膜,所以其会增加芯片的常温()及高温漏电。但是SIPOS本身的漏电流有限,所以到达一定的温度后,SIPOS自身的漏电流不再增加,可以保证材料在高温条件下稳定性。一般在150℃条件下,仍为uA级别(50mil芯片约为50uA)。DB的芯片如不采用SIPOS,其PN结表面钝化直接为玻璃,玻璃为绝缘材料,所以其漏电可以做到很小(常温:),150℃条件下,正常材料IR为10uA左右;分别计算PG和DB制程芯片在150℃高温条件下的功耗:PG:P=400V*50uA=:P=400V*10uA=;此功耗其对材料结温的影响非常小穴饱香铱蔽持雏舰踪叶萤吱虾党墒褐疆挥道萌衫烽琉倾碌艾丰界贷盒寝速PG