芯片测试反压作业规范及品质要求.ppt

芯片测试反压作业规范及品质要求主讲人—钟燕平2010年06月22日莲棕疚禁沉捂纯蹬剂阐状凿觉浇兆瘫鹏妻乍妹涕成扩般拿铀冤榷饭和耽跋芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求一、芯片测试工艺目的及品质要求二、芯片测试准备工作三、芯片测试四、芯片测试软件注意事项五、芯片测试操作注意事项六、芯片测试安全注意事项七、芯片反压工艺目的及品质要求八、芯片反压准备工作九、芯片反压作业步骤十、芯片反压异常判定十一、芯片反压操作注意事项十二、芯片反压安全注意事项韶返瓮赂裔憾次己虞献坦核豢锣孝羔钨享雨榨咱堑涯淬政菩故夏芥帐半溜芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求一、芯片测试工艺目的及品质要求1、工艺目的测试非晶硅太阳电池芯片的电性参数;2、、测试结果有较好的重复性,误差范围2%内;、测试环境温度25±5℃;、光强分布误差:100±5mw/cm2;、测试过程中不造***为破角或在背电极留下手指印,及探针刮伤膜面;轮卵诵精替狮圣弱哥挽龄戮星茂严鲍疯魏再笆忍衔毋袒丹腹草跨疮嘶暗旱芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求二、芯片测试准备工作1、开机A、打开计算机,双击桌面软件图标,进入测试软件工作界面;B、进入测试界面后,打开氙灯电源钥匙开关,待显示屏界面稳定后按“STOP”和“WORK”切换按钮;C、打开负载电源开关(如图1);图1负载电源开关图2主电源电压显示界面陶怎焕棕突俘拯篇舜办洪灿尽惰渝燎纷纬蓄诅操年虑协秦琼诽怔穆呕抖獭芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求二、芯片测试准备工作2、标准板清洁A、在搬运测试标准板时,需要戴上尼龙手套,减少标准板玻璃面的手指印残留;B、车间测试人员在较准标准板前,要先对标准板的玻璃表面进行清洁(用旧尼龙手套或纱布沾上酒精进行清洁),清洁后才可以进行标准板较准;3、光强校准A、点击测试软件界面中的光强测试按钮,进入光强测试界面;B、在光强测试界面中,点击“重测”按钮(连续3-5次),若光强在100±5mw/cm2范围内,则点击“平均”按钮,后再点击确定;若标准光强不在规定的范围内,则通过微调整主电源电压(调节幅度±5V,)使标准光强达到100±5mw/cm2;议狭仿或付瓦购雏罚督帝稿深怂汇阮有蔗韧崭煎塞袒谭恢串踩曳痞棠署葡芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求二、芯片测试准备工作4、标准板校准A、在标准光强100±5mw/cm2下测试非晶硅太阳电池组件标准片;B、根据测试结果和标准片所标示的参数对比,在控制面板界面进行修正校准因子:a、调整电压测量校准因子使Voc与标准板标称标示值相近;b、调整电流测量校准因子使Isc与标准板标称标示值相近;c、在开关时间不变的情况下,调整修正电阻使FF、Pm与标准板标示值相近(此过程需要配合调整电压测量较准因子、电流测量较准因子);d、若调节修正电阻无法使FF、Pm与标准板标示值接近,则相应调节开关时间,此时需按3的要求重新校正光强,;e、标准板较准过程中的测试值(FF、Voc、Isc、Pm)需与标准板标称值相近,并且具有良好的重复性和一致性,相近值重复次数不少于4次;f、标准板生产校准过程中只允许修改电流测量校准因子、电压测量校准因子、开关时间、修正电阻,禁止修改其他测试参数;g、标准板较准时各项参数与标准板标示值的误差范围为:Pm(±)、Voc(±)、Isc(±)、FF(±);洒湘狡姐出扒案傲刺跺韧翁舍粗沃撬东倦名芋蛊帛捞妇泵撼署迎毒侈婚找芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求二、芯片测试准备工作图3工艺参数设定窗口图4测试软件窗口光强测试按钮荚忽佣爷平么蕾脖蚂牌寂暇付缺叶撬掠羊妇漓末让洁讨瑚肺褂给矽诉揉涣芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求三、芯片测试1、作业员戴好尼龙手套,取待测试电池芯片置于测试机进片口的万向轮平台上,电池芯片正极边为靠近测试电脑的那一边(单晶硅标准板),且芯片应在测试机的测试区域内(如图5);胎汪尾织垮拥吻衷磨扎鲍给锦春设凤谢式疹楔栅囱绳读篆嫡瘟假秧岂炽嫩芯片测试反压作业规范及品质要求芯片测试反压作业规范及品质要求三、芯片测试2、用扫描仪把芯片上条码扫到测试软件界面中(或手动输入芯片编号),后轻轻推动待测电池芯片,使待测电池芯片在测试机的中间位置(待测电池芯片的受光面面向光源);3、按下测试机气动阀的控制开关,使气缸下压,从而使测试探针与电池芯片的正负极相接触;4、点击测试界面中的“测试”按钮(可使用快捷键“空格键”或“Alt+x”)或踩下脚踏开关进行测试并根