下载此文档

基于cmos工艺的高性能射频滤波器:体声波滤波器baw.doc


文档分类:通信/电子 | 页数:约6页 举报非法文档有奖
1/6
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/6 下载此文档
文档列表 文档介绍
基于CMOS工艺的高性能射频滤波器:体声波滤波器(BAW)HighPerformanceRF-FiltersMadeinaCMOSFactory:BAW■英飞凌科技公司RobertAigner过去几年中,随着射频集成电路技术和系统结构的发展,移动电话中射频部分的很多分立器件已被替换。最为明显的就是接收机中分立的低噪声放大器(LNA)和中频(IF)滤波器已经被集成到射频集成电路中。可以预期各射频模块将逐步被集成到标准BiCMOS或CMOS集成电路中,但还是有几类射频元件的集成不太容易做到,其中就包括射频滤波器。所有的移动电话都需要射频滤波器以保护敏感的接收(Rx)信道,使之免受其他用户的发送(Tx)信号及各种射频源产生的噪声干扰。移动电话可能要求当Rx信号比干扰信号强度低120dB时仍能工作。而前置放大器无法提供足够小的互调以满足这种要求。体声波(BAW)和薄膜腔声谐振器(FBAR)滤波器被分别用来替代移动电话中的传统射频滤波器,因为目前其性能已超过表面波(SAW)滤波器,而且可以通过标准集成电路技术生产,极具价格竞争力。天线和前置放大器之间高选择性的射频滤波器保证了只有正确的Rx波段内的信号被放大。;带宽一般在20到75MHz之间。Tx波段低于Rx波段,但之间仅有20MHz的间隙。在20MHz这么窄的过渡带中,Rx滤波器必须从在相应的Tx波段上边沿处有大于15dB的衰减,变化到在Rx波段下边沿处有小于3dB的插入损耗。要实现这么陡的沿,滤波器元件需要有极低的损耗,及很高的品质因数(Q),对于电抗元件,Q≥400是必须的。选择性射频滤波器在移动电话的Tx信道中按规程也是需要的,以避免在规定波段以外发出射频功率。这些Tx滤波器主要考虑的是不让功率放大器把噪声和Tx波段外的信号放大。GSM系统是时分复用的。GSM手机的天线用射频开关在Rx和Tx信道之间来回切换。由于这种切换,在GSM系统中,接收和发送的信号相对易于相互隔离。与GSM不同,CDMA和W-CDMA及第三代(UMTS)标准都工作在全双工模式,即电话同时在接收和发送信号。这样的工作模式使得所谓的天线双工器成为必需的器件。天线双工器包括了用于Rx和Tx波段的高选择性的滤波器,它要保证从功放送出的功率尽可能少的回馈到接收通道,并将从天线接收到的信号以尽可能少的衰减导入前置放大器。这种双工器中采用SAW滤波器是有困难的,因为它要能处理高达2瓦的输出功率,而且随着自身发热造成的温度提升,要能维持正常的工作。而BAW/FBAR滤波器可以很好满足这些应用,因为其品质因数可高达1500,可以处理达几瓦的功率,而且频率特性的温度系数明显低于SAW滤波器。基本原理BAW谐振器应用了MEMS工艺,以便将石英晶体的工作机理扩展到更高频率。压电层的典型厚度在几个微米或更低。压电层可以驱动一个驻声波,其波长为压电层和电极总厚度的两倍。该驻声波沿垂直方向传播。因为淀积的压电层的方向对厚度外延模式(TE)支持得最好,所以采用了这一模式。在谐振频率附近,电阻抗将发生强烈的变化(参见图4,5)。在BAW中,压力场看起来与(单晶的)石英晶体很相似,但有更大一部分驻波位于电极和支撑层中。要将厚度外延模式的石英晶体的工作机制扩展到GHz范围,最直接的方法是将压电层和电极作成膜结构,或

基于cmos工艺的高性能射频滤波器:体声波滤波器baw 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

非法内容举报中心
文档信息
  • 页数6
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人文库旗舰店
  • 文件大小40 KB
  • 时间2019-10-14